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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA30N25L2-Littelfuseジャパン合同会社

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VDSS (V)

250

RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω)

0.14

ID, cont @ 25 ℃ (A)

30

ゲート電荷 (nC)

130

RthJC (K/W)

0.35

構成

シングル

パッケージタイプ

TO-263

CISS (pF)

3,200

trr、TYP (ns)

315

PD (W)

355

この製品について

パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイアス安全動作領域 (FBSOA) を特長としています。 パワーMOSFETを従来のスイッチモード動作ではなく線形モード動作で使用する場合、高いドレイン電圧とドレイン電流が同時に発生することによる非常に高い熱応力と電気的ストレスへの耐久性が求められます。 このように応力やストレスが非常に高い状況では、一般的な機器は故障する恐れがあります。リテルヒューズのLinearL2™ パワー MOSFETは、このようなデバイスの故障に対処するように設計されています。 電熱不安定性の正のフィードバックが抑制されると、FBSOAが「拡張」され、より大きな「動作ウィンドウ」が生じます。FBSOAは75℃で保証されています。

■特長

・線形動作用の設計 ・75℃でFBSOAを保証 ・低いオン抵抗RDS (on) ・アバランシェ定格 ・国際規格パッケージ ・UL 94 V-0可燃性規格適合 (成形エポキシ)

  • 型番

    IXTA30N25L2

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA30N25L2 IXTA30N25L2の性能表

商品画像 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) trr、TYP (ns) PD (W)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA30N25L2-品番-IXTA30N25L2 要見積もり 250 0.14 30 130 0.35 シングル TO-263 3,200 315 355

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耐圧 V

100 - 300 300 - 600 600 - 900 900 - 1,300 1,300 - 1,700

電流 A

1 - 100 100 - 200 200 - 500 500 - 800

オン抵抗 mΩ

0 - 50 50 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 16,000

ゲート電荷 nC

30 - 70 70 - 100 100 - 130 130 - 140

入力容量 pF

1,000 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 7,000

逆回復時間 ns

100 - 200 200 - 300 300 - 600

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