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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA15N50L2-Littelfuseジャパン合同会社

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VDSS (V)

500

RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω)

0.48

ID, cont @ 25 ℃ (A)

15

ゲート電荷 (nC)

123

RthJC (K/W)

0.42

構成

シングル

パッケージタイプ

TO-263

CISS (pF)

4,080

trr、TYP (ns)

570

PD (W)

300

この製品について

パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイアス安全動作領域 (FBSOA) を特長としています。 パワーMOSFETを従来のスイッチモード動作ではなく線形モード動作で使用する場合、高いドレイン電圧とドレイン電流が同時に発生することによる非常に高い熱応力と電気的ストレスへの耐久性が求められます。 このように応力やストレスが非常に高い状況では、一般的な機器は故障する恐れがあります。リテルヒューズのLinearL2™ パワー MOSFETは、このようなデバイスの故障に対処するように設計されています。 電熱不安定性の正のフィードバックが抑制されると、FBSOAが「拡張」され、より大きな「動作ウィンドウ」が生じます。FBSOAは75℃で保証されています。

■特長

・線形動作用の設計 ・75℃でFBSOAを保証 ・低いオン抵抗RDS (on) ・アバランシェ定格 ・国際規格パッケージ ・UL 94 V-0可燃性規格適合 (成形エポキシ)

  • 型番

    IXTA15N50L2

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA15N50L2 IXTA15N50L2の性能表

商品画像 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) trr、TYP (ns) PD (W)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA15N50L2-品番-IXTA15N50L2 要見積もり 500 0.48 15 123 0.42 シングル TO-263 4,080 570 300

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