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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P-Littelfuseジャパン合同会社

全型番で同じ値の指標

VDSS (V)

800

RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω)

1.1

ID, cont @ 25 ℃ (A)

10

ゲート電荷 (nC)

40

RthJC (K/W)

0.42

構成

シングル

パッケージタイプ

TO-263

CISS (pF)

2,050

PD (W)

300

trr、最大 (ns)

250

この製品について

NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特性を提供します。

■メリット

・簡単な取り付け ・省スペース

■特長

・国際規格パッケージ ・dv/dtダイナミック定格 ・アバランシェ定格 ・高速内部整流器 ・Low QG and RDS (on) ・ドレイン - タブ間の低キャパシタンス ・低パッケージインダクタンス

  • 型番

    IXFA10N80P

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P IXFA10N80Pの性能表

商品画像 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) PD (W) trr、最大 (ns)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P-品番-IXFA10N80P 要見積もり 800 1.1 10 40 0.42 シングル TO-263 2,050 300 250

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耐圧 V

100 - 300 300 - 600 600 - 900 900 - 1,300 1,300 - 1,700

電流 A

1 - 100 100 - 200 200 - 500 500 - 800

オン抵抗 mΩ

0 - 50 50 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 16,000

ゲート電荷 nC

30 - 70 70 - 100 100 - 130 130 - 140

入力容量 pF

1,000 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 7,000

逆回復時間 ns

100 - 200 200 - 300 300 - 600

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