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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV-Littelfuseジャパン合同会社

全型番で同じ値の指標

VDSS (V)

1,700

RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω)

16

ID, cont @ 25 ℃ (A)

1

ゲート電荷 (nC)

47

RthJC (K/W)

0.43

構成

シングル

パッケージタイプ

TO-247HV

CISS (pF)

3,090

PD (W)

290

VGS、オフ-最大 (V)

-4.5

CRSS (pF)

30

この製品について

デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲートバイアス電圧が保たれますが、それ以外は類似のMOSFETと同じような特性を備えています。レベルシフト、ソリッドステートリレー、電流レギュレータ、能動負荷に適しています。

■特長

・常時動作 ・リニアモード耐性 ・内部標準パッケージ ・UL 94 V-0可燃性規格適合 (成形エポキシ)

  • 型番

    IXTH1N170DHV

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV IXTH1N170DHVの性能表

商品画像 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) PD (W) VGS、オフ-最大 (V) CRSS (pF)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV-品番-IXTH1N170DHV 要見積もり 1,700 16 1 47 0.43 シングル TO-247HV 3,090 290 -4.5 30

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