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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTA1N170DHV-Littelfuseジャパン合同会社

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VDSS (V)

1,700

RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω)

16

ID, cont @ 25 ℃ (A)

1

ゲート電荷 (nC)

47

RthJC (K/W)

0.43

構成

シングル

パッケージタイプ

TO-263HV

CISS (pF)

3,000

PD (W)

290

VGS、オフ-最大 (V)

-4.5

CRSS (pF)

30

この製品について

デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲートバイアス電圧が保たれますが、それ以外は類似のMOSFETと同じような特性を備えています。レベルシフト、ソリッドステートリレー、電流レギュレータ、能動負荷に適しています。

■特長

・常時動作 ・リニアモード耐性 ・内部標準パッケージ ・UL 94 V-0可燃性規格適合 (成形エポキシ)

  • 型番

    IXTA1N170DHV

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTA1N170DHV IXTA1N170DHVの性能表

商品画像 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) PD (W) VGS、オフ-最大 (V) CRSS (pF)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTA1N170DHV-品番-IXTA1N170DHV 要見積もり 1,700 16 1 47 0.43 シングル TO-263HV 3,000 290 -4.5 30

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使用用途

#車載機器 #充電器 #インバータ #太陽光発電 #産業機器 #電源装置 #医療機器 #航空宇宙関連機器 #家電機器 #データセンタ

耐圧 V

100 - 300 300 - 600 600 - 900 900 - 1,300 1,300 - 1,700

電流 A

1 - 100 100 - 200 200 - 500 500 - 800

オン抵抗 mΩ

0 - 50 50 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 16,000

ゲート電荷 nC

30 - 70 70 - 100 100 - 130 130 - 140

入力容量 pF

1,000 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 7,000

逆回復時間 ns

100 - 200 200 - 300 300 - 600

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