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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A-Littelfuseジャパン合同会社

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VDSS (V)

600

RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω)

0.052

ID, cont @ 25 ℃ (A)

60

ゲート電荷 (nC)

108

RthJC (K/W)

0.16

構成

シングル

パッケージタイプ

TO-247

CISS (pF)

6,300

trr、TYP (ns)

180

PD (W)

780

この製品について

IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化されています。 MOSFETの内部高速ボディダイオードHiPerFETは、特にハーフブリッジまたはフルブリッジのスイッチングトポロジーにおいて、非常に穏やかな回復特性を示し、電磁妨害 (EMI) を最小限に抑えます。逆回復電荷が低く、逆回復時間が短いボディダイオードは、高速スイッチング中にエネルギーをすべて除去し、装置の故障を回避して高い効率を達成します。

■特長

・国際規格パッケージ ・低いRDS (ON) およびQG ・アバランシェ定格 ・低パッケージインダクタンス

■利点

・高出力密度 ・簡単な取り付け ・省スペース

  • 型番

    IXFH60N60X2A

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A IXFH60N60X2Aの性能表

商品画像 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) trr、TYP (ns) PD (W)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A-品番-IXFH60N60X2A 要見積もり 600 0.052 60 108 0.16 シングル TO-247 6,300 180 780

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