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SiC用超高温プロセス炉-株式会社エピクエスト

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返答率

100.0%

返答時間

18.7時間

全型番で同じ値の指標

均熱領域

160mmΦ×65mmH

最高加熱温度

MAX2,200℃

到達圧力

6.6×10^-7Pa

チャンバ構成

2チャンバ構成 (加熱室、導入室)

この製品について

■特徴

・6インチまで対応 ・高温成長可能 (MAX2,200℃) ・急速昇温可能 (1,000℃→2,000℃まで1分以内) ・カーボンフリー ・超高真空仕様 (極低リークレート) ・完全自動化 (プロセス、搬送)

  • 型番

    SiC用超高温プロセス炉

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SiC用超高温プロセス炉 SiC用超高温プロセス炉の性能表

商品画像 価格 (税抜) 均熱領域 最高加熱温度 到達圧力 チャンバ構成
SiC用超高温プロセス炉-品番-SiC用超高温プロセス炉 要見積もり 160mmΦ×65mmH MAX2,200℃ 6.6×10^-7Pa 2チャンバ構成 (加熱室、導入室)

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使用用途

#焼結 #ろう付け #焼鈍 #焼戻し #焼入れ #浸炭 #応力除去 #乾燥 #脱ガス #脱泡

加熱方式

抵抗加熱型 高周波加熱型 輻射加熱 直接通電 抵抗加熱

構造形式

横型炉 縦型炉 チャンバ型 バッチ型

真空到達度

低真空型 中真空型 高真空型

特殊機能

ガス置換型 急速昇降温型

最高温度 ℃

600 - 1,000 1,000 - 1,200 1,200 - 1,400 1,400 - 1,600 1,600 - 2,000 2,000 - 2,400

常用温度 ℃

500 - 600 600 - 800 800 - 1,000 1,000 - 1,200 1,200 - 1,400 1,400 - 1,600 1,600 - 2,000 2,000 - 2,200

到達真空度 Pa

0 - 0.1 0.1 - 10 10 - 100 100 - 150

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この商品の取り扱い会社情報

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返答時間

18.7時間

会社概要

株式会社エピクエストは2000年に設立し、主にMBE装置、MOCVD装置の開発、製造を行っている会社です。 MBEやMOCVD装置は、天然にない人工結晶を作製する技術であるエピキタシー技術を基盤としており、結晶を成...

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  • 本社所在地: 京都府

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