IXBF9N160G | 個別半導体製品 IGBT - アレイ
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ゲートチャージ

34nC

Win Source 部品番号

WS1308587-IXBF9N160G

製造元

サンオンファン

シリーズ

マグレブ® MA

パッケージ

箱

電圧 - 定格

220~240VAC

寸法

正方形 - 長さ70mm x 高さ70mm

幅

25.00mm

気流

29.0CFM (0.812m3/分)

静圧

0.180 in H2O (44.8Pa)

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この製品について

■概要アレイ形式の絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) は、高電力および高周波アプリケーションを管理する上で重要です。これらのコンポーネントは、MOSFETの制御の容易さと、バイポーラ トランジスタの高電流および低飽和電圧の特徴を兼ね備えています。

アレイ構成により、コンパクトで効率的な電力管理が可能になり、産業機械、再生可能エネルギー システム、電気自動車での使用に最適です。トップ メーカーは、厳格な業界標準を満たすIGBTアレイを提供し、信頼性と効率性に優れたパフォーマンスを保証します。

高度な熱管理と堅牢な構造を備えたIGBTアレイは、厳しい動作条件にも対応できるため、現代のパワーエレクトロニクスには欠かせないものとなっています。コンパクトな設計により、システム全体のサイズが縮小され、効率が向上します。

説明
■IGBT 1,600V 7A 70W I4PAC・高電圧BIMOSFETTMは、電圧降下が大幅に低い高電圧MOSFETの代替品です。MOSFET互換の制御、10Vのターンオンゲート電圧、高周波動作のための高速スイッチング、逆導通機能
・分離された背面、ヒートシンクへの沿面距離の拡大、 高電圧ピン間の沿面距離の拡大、アプリケーションに適したピン配置、高い信頼性、業界標準の概要

型番
IXBF9N160G

シリーズ
個別半導体製品 IGBT - アレイ

取扱企業
WIN SOURCE ELECTRONICS

カテゴリ

スイッチ

IGBTモジュール

トランジスタ

トランジスタアレイ

スイッチ

IGBT

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個別半導体製品 IGBT - アレイ IXBF9N160Gの性能表

商品画像	価格 (税抜)	ゲートチャージ	Win Source 部品番号	製造元	シリーズ	パッケージ	電圧 - 定格	寸法	幅	気流	静圧
	要見積もり	34nC	WS1308587-IXBF9N160G	サンオンファン	マグレブ® MA	箱	220~240VAC	正方形 - 長さ70mm x 高さ70mm	25.00mm	29.0CFM (0.812m3/分)	0.180 in H2O (44.8Pa)