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個別半導体製品 FET - アレイ-WIN SOURCE ELECTRONICS

EFC4626R-TR | 個別半導体製品 FET - アレイ
WIN SOURCE ELECTRONICS

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メーカーパッケージ

4-XFBGA

メーカーパック数量

8,000

MSLレベル

1 (無制限)

ドレイン-ソース電圧 (V DSS )

30V

連続ドレイン電流 (I D )

13A

消費電力 (P D )

1.25W

動作温度範囲

-55℃ ~ +150℃

Win Source 部品番号

263444-FDT439N-NL

メーカー

イクシス

パッケージ

チューブ

部品ステータス

アクティブ

電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大)

1,600V

電流 - コレクター (Ic) (最大)

7A

Vce (on) (最大) @ Vge、Ic

7V @ 15V、5A

この製品について

■概要

電界効果トランジスタ (FET) アレイは、複数のFETを1つのパッケージに統合したもので、さまざまな電子アプリケーションにコンパクトで効率的なソリューションを提供します。これらのアレイは、アナログ スイッチング、増幅、信号変調に最適で、設計と実装の柔軟性を実現します。 説明

■MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 / NチャネルパワーMOSFET

ON SemiconductorのEFC4626R-TRは、幅広い電子アプリケーションで高効率の電力管理と変換を実現するように設計された最先端のパワー MOSFETデバイスです。このMOSFETは、現代の電子システムの進化するニーズを満たすことを目的とした、ON Semiconductorのエネルギー効率の高い電力ソリューション ポートフォリオの一部です。

■主な特徴

・低いオン抵抗：EFC4626R-TRはオン抵抗 (R DS (on) ) が非常に低いため、電力損失が低減し、効率が向上するため、電力を大量に消費するアプリケーションに最適です。 ・高速スイッチング：このデバイスは高速スイッチング性能を実現するように設計されており、スイッチング損失の削減と電力変換システムの全体的な性能向上に不可欠です。 ・堅牢な熱性能：優れた熱設計を備えた EFC4626R-TRは、高温条件下でも信頼性の高い動作を保証し、製品の寿命を延ばします。 ・高度なパッケージング：MOSFETはコンパクトな表面実装パッケージで提供されるため、PCBスペースを効率的に使用でき、スペースが限られたアプリケーションに適しています。 用途

■EFC4626R-TRは汎用性が高く、次のようなさまざまなアプリケーションに使用できます。

・DC/DCコンバータ ・電源モジュール ・モータードライブ ・バッテリー管理システム ・スイッチモード電源 (SMPS) 価格

■量：単価、合計価格

・380+：20円、7563円 ・805+：19円、14995円 ・1,250+：18円、22478円 ・1,800+：17円、30048円 ・2,335+：17円、37475円 ・2,920+：16円、45026円 ※上記価格には税金および運賃は含まれておりません。

  • 型番

    EFC4626R-TR

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個別半導体製品 FET - アレイ EFC4626R-TRの性能表

商品画像 価格 (税抜) メーカーパッケージ メーカーパック数量 MSLレベル ドレイン-ソース電圧 (V DSS ) 連続ドレイン電流 (I D ) 消費電力 (P D ) 動作温度範囲 Win Source 部品番号 メーカー パッケージ 部品ステータス 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大) 電流 - コレクター (Ic) (最大) Vce (on) (最大) @ Vge、Ic
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使用用途

#アナログスイッチング #高速スイッチング #信号変調

VDS V

0 - 100 100 - 700

ID 最大値 A

0 - 10 10 - 50

消費電力 mW

200 - 300 300 - 1,300

容量 pF

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