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電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51-日清紡マイクロデバイス株式会社

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返答率

100.0%

返答時間

18.9時間

全型番で同じ値の指標

P-0.1dB (dBm)

Typ. 36

パワーレベル

High Power

挿入損失

0.18dB/ 0.20dB/ 0.23dB typ. @f=0.9GHz/ 1.9GHz/ 2.7GHz

周波数範囲 (GHz)

0.2 to 6

外形サイズ (mm)

Typ. 2.0x2.0x0.375

低切替電圧 (V)

VCTL (H) =1.8 typ.

動作電圧 (V)

VDD=2.7 typ.

動作温度範囲 (℃)

-40 to 85

ジャンクション温度 (℃)

150

パッケージ

QFN12-51

低歪み

IIP3=+73dBm typ. @f=829+849MHz, PIN=24dBm、IIP3=+73dBm typ. @f=1870+1910MHz, PIN=24dBm 等

この製品について

■概要

NJG1802K51はLTE/UMTS/CDMA/GSM等の通信端末用途に最適なハイパワーSPDTスイッチです。本製品は切替電圧1.8Vに対応し、低損失、高アイソレーション、高線形性を2.7GHzまでカバーすることを特徴としています。 本製品は消費電流を削減するためにシャットダウン機能を有しています。保護素子を内蔵することにより高いESD耐圧を有しています。DCブロッキングキャパシタが不要であるため実装面積の縮小が可能です。

  • 型番

    NJG1802K51

企業レビュー 5.0

Metoree経由で見積もり

2025年2月20日にレビュー済み

顧客対応への満足度

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電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51 NJG1802K51の性能表

商品画像 価格 (税抜) P-0.1dB (dBm) パワーレベル 挿入損失 周波数範囲 (GHz) 外形サイズ (mm) 低切替電圧 (V) 動作電圧 (V) 動作温度範囲 (℃) ジャンクション温度 (℃) パッケージ 低歪み 機能 機能
電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51-品番-NJG1802K51 要見積もり Typ. 36 High Power 0.18dB/ 0.20dB/ 0.23dB typ. @f=0.9GHz/ 1.9GHz/ 2.7GHz 0.2 to 6 Typ. 2.0x2.0x0.375 VCTL (H) =1.8 typ. VDD=2.7 typ. -40 to 85 150 QFN12-51 IIP3=+73dBm typ. @f=829+849MHz, PIN=24dBm、IIP3=+73dBm typ. @f=1870+1910MHz, PIN=24dBm 等

SPDTスイッチ

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#モバイル通信 #LTE #無線LAN #UMTS #測距距離計測 #CDMA #GSM #LTEU #移動体検知 #通信端末

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この商品の取り扱い会社情報

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返答時間

18.9時間


企業レビュー

5.0

会社概要

2022年1月より日清紡グループの新日本無線とリコー電子デバイスが統合し、新たに日清紡マイクロデバイス株式会社として始動しました。両社の強みを統合し“Connect Everything”技術を磨き、超スマート社会実現へ...

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  • 本社所在地: 東京都

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