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返答率
100.0%
返答時間
9.1時間
計測膜厚範囲
50nm~20μm (薄膜モデル) 1μm~100μm (厚膜モデル) 20μm~800μm (極厚膜モデル)
測定サイズ
4インチ~12インチウェーハ A4サイズ
測定点数
約400万点 (薄膜モデル) 約150万点 (厚膜モデル) 約100万点 (極厚膜モデル)
空間分解能
約50μm~150μm (薄膜モデル) 約80μm~250μm (厚膜モデル) 約100μm~300μm (極厚膜モデル) ※サンプルサイズによります。
測定速度
2分以内 ※材質、条件によります。
繰り返し再現性
3σ<1.0nm (薄膜・厚膜モデル) 3σ<10nm (極厚膜モデル) ※校正された厚さ1μmのSiウェーハ上のSiO2膜にて。
装置サイズ
約W810×D820~880×H2,000mm ※12インチウェーハの場合
型番
FDC-S□□□□取扱企業
JFEテクノリサーチ株式会社カテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 計測膜厚範囲 | 測定サイズ | 測定点数 | 空間分解能 | 測定速度 | 繰り返し再現性 | 装置サイズ |
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要見積もり |
50nm~20μm (薄膜モデル) 1μm~100μm (厚膜モデル) 20μm~800μm (極厚膜モデル) |
4インチ~12インチウェーハ A4サイズ |
約400万点 (薄膜モデル) 約150万点 (厚膜モデル) 約100万点 (極厚膜モデル) |
約50μm~150μm (薄膜モデル) 約80μm~250μm (厚膜モデル) 約100μm~300μm (極厚膜モデル) ※サンプルサイズによります。 |
2分以内 ※材質、条件によります。 |
3σ<1.0nm (薄膜・厚膜モデル) 3σ<10nm (極厚膜モデル) ※校正された厚さ1μmのSiウェーハ上のSiO2膜にて。 |
約W810×D820~880×H2,000mm ※12インチウェーハの場合 |
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使用用途が半導体検査の製品
膜厚計をフィルターから探すことができます
使用用途
#塗装検査 #めっき管理 #コーティング管理 #フィルム評価 #半導体検査 #電子部品検査 #自動車部品検査 #建材検査 #印刷品質管理 #材料研究 #表面処理管理測定範囲 μm
0 - 10 10 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 5,000 5,000 - 10,000 10,000 - 10,000,000測定方式
電磁誘導式/渦電流式 電磁式 渦電流式 光熱放射法 超音波式 静磁気式 4探針電気抵抗式 電解式 蛍光X線 微小面積電解式 パルス反射式測定精度 μm
0 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 60 60 - 100 100 - 250分解能 μm
0 - 1 1 - 100データメモリ数 点
1,000 - 10,000 10,000 - 40,000 40,000 - 260,000 260,000 - 2,000,000質量 g
0 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 10,000 10,000 - 90,000
