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業界最高 8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立 EcoGaN TM シリーズ GNE10xxTB-ローム株式会社

GNE1040TB | 業界最高 8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立 EcoGaN TM シリーズ GNE10xxTB
ローム株式会社

全型番で同じ値の指標

VDS (V)

150

VGS (V)

8

IDS (A) Tc=25℃

10

RDS (on) (mΩ)

40

Qg (nC)

2

パッケージ名 (mm)

DFN5060[5.0×6.0×1.0]

この製品について

GNE10xxTBシリーズは、一般的なGaNHEMTの課題であった、ゲート-ソース間定格電圧を業界最高となる8Vに高め、パッケージも扱いやすいDFNとした、150V耐圧GaNHEMTです。GaNHEMTはスイッチングが非常に高速で、同じく高速スイッチングを特徴とするSiCMOSFETとの比較においても、スイッチング損失を大幅に削減可能なことから、次世代ワーデバイスの1つとして期待されており、ロームはGaNデバイスの普及を促進すべく、ユーザーニーズを反映したGNE10xxTBシリーズの量産体制を確立しました。 GNE10xxTBシリーズは、中耐圧領域の電源アプリケーション向けで、主に基地局、データセンター他、各種産業機器や通信機器などでの電源の高効率化や小型化に貢献します。

■主な特性

・耐圧 (VDS) :150V ・ゲート・ソース定格電圧:8V ・専用独自モールドパッケージ ・高信頼、良実装性 ・高放熱 ・低寄生インダクタンス ・高速スイッチング1MHz以上 ・ノーマリーオフ動作 ・逆回復時間:0

■想定アプリケーション

・データセンターや基地局など48V入力降圧コンバータ回路 ・基地局パワーアンプ部の昇圧コンバータ回路 ・産業用LiDAR駆動回路 ・D級オーディオアンプ

  • 型番

    GNE1040TB

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業界最高 8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立 EcoGaN TM シリーズ GNE10xxTB GNE1040TBの性能表

商品画像 価格 (税抜) VDS (V) VGS (V) IDS (A) Tc=25℃ RDS (on) (mΩ) Qg (nC) パッケージ名 (mm)
業界最高 8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立 EcoGaN TM シリーズ GNE10xxTB-品番-GNE1040TB 要見積もり 150 8 10 40 2 DFN5060[5.0×6.0×1.0]

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