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直径
φ50.8mm ± 0.1mm
方位面
C面 (0001) 面 ± 0.5°
オリフラ方位。長さ
オリフラ方位 (1-100) オリフラ長さ16 ± 1mm
転移欠陥密度
5×108個/cm2以下
基板構造
GaN / サファイアウェーハ (0001) 面
有効面積
90%以上
表面仕上げ
Ga面:CMP仕上げ N面:ファイングランディング (オプション:光学鏡面仕上げ)
梱包方法
クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット
型番
GaN-T-C-P-C50シリーズ
2インチGaNテンプレート取扱企業
株式会社豊港カテゴリ
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GaNパワーデバイスの製品50点中、注目ランキング上位6点
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商品画像 | 価格 (税抜) | 直径 | GaN膜厚 | 方位面 | 導電タイプ | オリフラ方位。長さ | 電気抵抗率 (300K) | 転移欠陥密度 | 基板構造 | 有効面積 | 表面仕上げ | 梱包方法 |
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要見積もり | φ50.8mm ± 0.1mm | 4um | C面 (0001) 面 ± 0.5° | P型 |
オリフラ方位 (1-100) オリフラ長さ16 ± 1mm |
~10Ω・cm | 5×108個/cm2以下 | GaN / サファイアウェーハ (0001) 面 | 90%以上 |
Ga面:CMP仕上げ N面:ファイングランディング (オプション:光学鏡面仕上げ) |
クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット |