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ジャパンクリエイト株式会社
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■特徴 ・エピタキシャル促進機構により単結晶成膜に最適 ・酸化促進ガス導入機構 ・材料酸化防止機構 ・最高900℃の高温プロセスが可能 ・基板回転による優れ...
ジャパンクリエイト株式会社
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■概要 デバイス開発や材料開発に最適なマルチチャンバ仕様の装置です。 前処理から成膜、封止までの工程を大気に触れずに処理することが可能です。 目的に応...
