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項目別
使用用途
#研究開発
#有機エレクトロニクス
#超高真空
蒸着方式
電子ビーム蒸着型
成膜環境
高真空蒸着型
特徴機能
クリーン対応型
基板サイズ mm
300 - 1,000
基板加熱温度 ℃
500 - 800
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2 点の製品
ジャパンクリエイト株式会社
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■特徴 ・エピタキシャル促進機構により単結晶成膜に最適 ・酸化促進ガス導入機構 ・材料酸化防止機構 ・最高900℃の高温プロセスが可能 ...
ジャパンクリエイト株式会社
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■概要 デバイス開発や材料開発に最適なマルチチャンバ仕様の装置です。 前処理から成膜、封止までの工程を大気に触れずに処理することが...