項目別

VCEO V

-150 - -100 -100 - -50 -50 - -20 -20 - 0 0 - 50 50 - 100 100 - 200

IC A

-2 - -1 -1 - 0 0 - 1 1 - 10

hFE

0 - 100 100 - 200 200 - 400 400 - 800

P mW

100 - 200 200 - 500 500 - 600 600 - 700

イサハヤ電子のバイポーラトランジスタ

企業: イサハヤ電子 P: 600 - 700 mW

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1 点の製品

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタスイッチング用シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137S

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RT1N137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセット...

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