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■概要 2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製造されていますので、...
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2SA1364は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにコレクタ損失が大きく、設計、製造されてお...
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2SA1365は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく VCE (sat) が小さく設計・製造されております。 2SC3440...
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2SA1366は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく高耐圧に設計・製造されております。2SC3441とコンプリメ...
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2SA1368は、樹脂封止形のシリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計、製造されておりますので、リレードライブ、電...
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2SA1369は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタで、コレクタ損失およびコレクタ電流が大きく、さらにhFEが高く、設計、製造されていますので...
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2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されていますので、オーディオ機器...
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2SA1945は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、高耐圧に設計、製造されております。2SC5211とコンブリメンタリで使...
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2SA1946は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、VCE (sat) が小さく設計、製造されております。2SC5212とコンプリメ...
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1.0kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P130Xシリーズがあります。 ■用途 インバータ...
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P136Xシリーズがあります。 ■用途 イン...
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ド...
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ド...
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RT1N137Pは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...
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RT1N137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P140Xシリーズがあります。 ■用途 インバータ回...
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ドライバ回路
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RT2A00AM1は、PNPトランジスタ ISA1235AC1を2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削...
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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が...
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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が...
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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...
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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...
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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減...
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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減...
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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=160V ・ペア...
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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅な削減が可能となりま...
イサハヤ電子のバイポーラトランジスタ30製品中の注目ランキング
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