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イサハヤ電子のバイポーラトランジスタ

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10 点の製品

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N130Xシリーズ

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最新の閲覧: 14時間前

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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1.0kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P130Xシリーズがあります...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N136Xシリーズ

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最新の閲覧: 1日前

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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P136Xシリーズがあ...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136M-T150

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最新の閲覧: 7時間前

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イン...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150

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最新の閲覧: 38分前

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イン...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N140Xシリーズ

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最新の閲覧: 7時間前

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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P140Xシリーズがあります。...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N140M-T150

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最新の閲覧: 1時間前

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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフ...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N141Xシリーズ

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最新の閲覧: 6時間前

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5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P141Xシリーズがあ...


イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150

180人以上が見ています

最新の閲覧: 1日前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イ...


イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...


イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-T150

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最新の閲覧: 2時間前

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...


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