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使用用途
GaN作製、酸化物エレクトロニクス
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GaN作製、酸化物エレクトロニクス
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GaN作製、酸化物エレクトロニクス
シリーズ
LED・GaN用途 高品質 サファイアウエハー 単結晶 (c)| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 結晶育成法 | 面精度 | 外径公差 | 厚み公差 | オリフラ | 面粗さ | TTV,WARP,BOW | その他 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2"φ x 0.43mm t |
要見積もり |
キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.1mm |
=+/-25um |
(11-20)(+/-0.2°),16mm |
エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 |
<10um |
Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 |
|
|
|
3"φ x 0.5mm t |
要見積もり |
キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.1mm |
=+/-25um |
(11-20)(+/-0.2°),22mm |
エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 |
<15um |
Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 |
|
|
|
4"φ x 0.65mm t |
要見積もり |
キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.1mm |
=+/-25um |
(11-20)(+/-0.2°),30mm |
エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 |
<20um |
Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 |
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5"φ x 0.65mm t |
要見積もり |
キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.1mm |
=+/-25um |
(11-20)(+/-0.2°),42mm |
エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 |
<20um |
Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 |
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6"φ x 1.3mm t |
要見積もり |
キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.2mm |
=+/-25um |
(11-20)(+/-0.2°),47mm |
エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 |
<25um |
Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 |
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8"φ x 1.3~1.5mm t |
要見積もり |
キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.2mm |
=+/-25um |
要打ち合わせ |
エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 |
<30um |
Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 |
