LED・GaN用途 高品質 サファイアウエハー 単結晶 (c)
有限会社ケイ・アンド・アールクリエーション
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導入実績 3件
使用用途
GaN作製、酸化物エレクトロニクス
使用用途
GaN作製、酸化物エレクトロニクス
使用用途
GaN作製、酸化物エレクトロニクス
*導入実績数はMetoreeに登録されている件数になります。
この製品について
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シリーズ
LED・GaN用途 高品質 サファイアウエハー 単結晶 (c)
LED・GaN用途 高品質 サファイアウエハー 単結晶 (c) 品番6件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 結晶育成法 | 面精度 | 外径公差 | 厚み公差 | オリフラ | 面粗さ | TTV,WARP,BOW | その他 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2"φ x 0.43mm t |
要見積もり | キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.1mm | =+/-25um | (11-20)(+/-0.2°),16mm | エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 | <10um | Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 | |
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3"φ x 0.5mm t |
要見積もり | キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.1mm | =+/-25um | (11-20)(+/-0.2°),22mm | エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 | <15um | Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 | |
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4"φ x 0.65mm t |
要見積もり | キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.1mm | =+/-25um | (11-20)(+/-0.2°),30mm | エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 | <20um | Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 | |
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5"φ x 0.65mm t |
要見積もり | キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.1mm | =+/-25um | (11-20)(+/-0.2°),42mm | エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 | <20um | Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 | |
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6"φ x 1.3mm t |
要見積もり | キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.2mm | =+/-25um | (11-20)(+/-0.2°),47mm | エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 | <25um | Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 | |
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8"φ x 1.3~1.5mm t |
要見積もり | キロプロス |
=+0.2°offto |
=+/-0.2mm | =+/-25um | 要打ち合わせ | エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 | <30um | Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
