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GaNウェハー
株式会社新陽

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GaN (窒化ガリウム、ガリウムナイトライド) は、シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍 (3.42eV) 広く、絶縁破壊電圧も約10倍 (3.0MV/cm) という特性を持っており、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。 SiCとの比較では、熱伝導率がSiCの方が約3倍高く、それ以外の物性データ (バンドギャップ、電子移動度、絶縁破壊電圧、飽和ドリフト速度) は全てGaNの方が10%程度勝っております。よって、高温動作環境では、SiCに分が有りますが、電力変換容量、動作周波数の高い領域での使用におきましては、GaNの方が有利と言えます。

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    GaNウェハー

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出力電圧 V

3 - 5 5 - 20 20 - 30

最大出力 W

10 - 50 50 - 70 70 - 110

出力電流 A

1 - 3 3 - 5 5 - 10

MTBF 時間

0 - 50,000 50,000 - 100,000 100,000 - 300,000

動作温度 ℃

-30 - 0 0 - 20 20 - 30 30 - 40

外観寸法 mm

0 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 80 80 - 110

ポート数

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会社概要

株式会社新陽は、シリコンやゲルマニウムなどの素材を販売する商社です。 半導体材料として用いられるシリコン、スマートフォンのカバーガラスに用いられるサファイア、レアメタル溶解用の耐熱容器として活用されるタングステンなどの...

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  • 本社所在地: 大阪府

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