ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡 JSM-IT800シリーズ-JSM-IT800 HLバージョン

ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡 JSM-IT800シリーズ
コスモトレーディング株式会社

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この製品について

JSM-IT800は、高分解能観察を実現するための "インレンズショットキーPlus電界放出形電子銃" と次世代型電子光学制御システム "Neo Engine"、高速度元素マッピングを実現するために使いやすさを追求したGUI "SEM Center" に自社製EDSを組込んだシステムを共通のプラットフォームとしています。

SEMの対物レンズをモジュールとして置き換えることで、お客様の様々なニーズに応じた装置を提供します。

JSM-IT800には、対物レンズの違いにより、汎用FE-SEMであるハイブリッドレンズバージョン (HL) 、より高分解能観察や分析を可能にするスーパーハイブリッドレンズバージョン (SHL/SHLs、機能の違いにより2バージョン) 、半導体試料観察を得意とするセミインレンズバージョン (i/is 、機能の違いにより2バージョン) と5つのバージョンをラインナップしました。

さらに、JSM-IT800には、新しい反射電子検出器であるシンチレーター反射電子検出器 (SBED) と多目的反射電子検出器 (VBED) が搭載可能です。SBEDでは応答性の良い、低加速電圧での材料コントラスト像の取得ができます。VBEDでは、3D、凹凸、材料コントラスト像の取得が出来るため、今まで得られなかった情報の取得やお困りの測定への改善が期待できます。

インレンズショットキーPlus 電界放出電子銃 (FEG) 
電子銃と低収差コンデンサーレンズの融合により高輝度化を実現しました。低加速電圧でも十分な照射電流が得られ (100nA@5kV) 、対物レンズの切り替えなしで高分解能観察から高速元素マッピング、EBSD分析や軟X線分析まで行えます。

■Neo Engine (New Electron Optical Engine) JEOLの電子光学技術の粋を集めた次世代型電子光学制御システムを搭載しました。条件変更時でも安定した観察が可能です。また、オート機能等の使い勝手の大幅な向上も実現しました。

型番
この商品には5種類の型番があります

シリーズ
ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡 JSM-IT800シリーズ

取扱企業
コスモトレーディング株式会社

カテゴリ

観察機器

電子顕微鏡

観察機器

透過型電子顕微鏡

観察機器

走査型電子顕微鏡

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ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡 JSM-IT800シリーズ品番5件

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使用用途: 高分解能観察

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	商品画像	品番	価格 (税抜)	分解能 0.7nm (20kV) 1.3nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) 0.6nm (15kV) 1.0nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8mm) 0.5nm (15kV) 0.7nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8mm) 0.6nm (15kV) 1.1nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) 0.5nm (15kV) 0.7nm (1kV) 0.9nm (500V) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm)	倍率写真倍率 ×10 ~ 2,000,000 (128 × 96 mm 表示時) 表示倍率 × 27 ~ 5,480,000 (1,280 × 960 画素表示時) 写真倍率 ×25 ~ 2,000,000 (128 × 96 mm 表示時) 表示倍率 × 69 ~ 5,480,000 (1,280 × 960 画素表示時)	入射電圧	プローブ電流数 pA ~300nA (30kV) 数 pA ~100nA (5kV) 数 pA ~500nA (30kV) 数 pA ~100nA (5kV)	標準検出器二次電子検出器 (SED) 上方電子検出器 (UED) 二次電子検出器 (SED) 上方インレンズ検出器 (UID) 二次電子検出器 (SED) 上方インレンズ検出器 (UID) 上方電子検出器 (UED) 二次電子検出器 (SED) 上方ハイブリッド検出器 (UHD)	電子銃	エミッター保証期間	開き角最適化レンズ (ACL)	対物レンズハイブリッドレンズセミインレンズスーパーハイブリッドレンズ	試料ステージ	モーター制御	試料サイズ	低真空モード (オプション)	分析機能 (オプション)	主な用途 (例) 磁性体、広域EBSD 半導体デバイス解析磁性体、EBSD、生物 (アレイトモグラフィ, CLEM)
		JSM-IT800 HLバージョン	要見積もり	0.7nm (20kV) 1.3nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm)	写真倍率 ×10 ~ 2,000,000 (128 × 96 mm 表示時) 表示倍率 × 27 ~ 5,480,000 (1,280 × 960 画素表示時)	0.01 ~ 30kV	数 pA ~300nA (30kV) 数 pA ~100nA (5kV)	二次電子検出器 (SED) 上方電子検出器 (UED)	インレンズショットキーPlus電界放出電子銃	3年	組込み	ハイブリッドレンズ	フルユーセントリックゴニオメーターステージ	5軸モーター制御	試料ステージType1 (最大径：170 mm　最大高さ：45 mm (WD 5 mm) ) ステージ移動範囲 (X:70mm Y:50mm Z:1~41mm 傾斜:-5~70° 回転:360°)	可能	EDS WDS EBSD CL	磁性体、広域EBSD