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変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200-HGCB-4A-401200
変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200-ヘッドスプリング株式会社

変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200
ヘッドスプリング株式会社



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この製品について

■biRAPIDを導入した研究・開発で、製品の市場投入までを『高速』 (RAPID) に

パワーエレクトロニクス機器の試作・製造には多くのノウハウ、手間、時間、費用が必要となります。近年SiCやGaNといった高速に動作する半導体を用いることも多く、この場合は設計難易度も格段に高くなります。苦労して設計、試作をしてもノイズでの誤動作などが発生すれば、再度設計・試作を行う必要が生じ、さらに時間を要することとなります。 パワーエレクトロニクスの開発において、迅速 (Rapid) に製品の試作モデルを作成する (Prototyping) 開発方法であるラピッドプロトタイピングを実現する製品「biRAPID」をご用意しました。biRAPIDを用いて、企画・設計・試作のフィードバックサイクルを高速化できます。

■パワーエレクトロニクスをパーツで分け、モジュールに

パワーエレクトロニクスの製品やシステムは、変換器、コントローラ、センサなどのパーツで構成されます。それぞれのパーツで分け、モジュールにしたものがbiRAPIDです。お客様のシステムの一部を「biRAPID」のパーツで置き換えることで、試作が必要な箇所を減らし、研究開発・製品開発を高速化することができます。

■SiCのHブリッジインバータ

SiC-MOSFET4個をHブリッジ構成で搭載し、およそハガキサイズのフットプリントのコンパクトなインバータ回路ブロックです。 ゲートドライブ回路搭載のためゲート信号を入力することで最大定格電力4kVAの単相インバータ駆動が可能です。 また、本回路ブロック4式を、冷却機構付きの筐体に搭載したセットでのご提供も可能です。 電圧センサ回路も搭載しています。ゲート電源とゲート信号の入力のみで動作可能接続変更で単相インバータ、チョッパ回路に切替。

■電圧センサ回路搭載

センサからの検出信号を制御にフィードバックが可能

  • シリーズ

    変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200

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変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 装置サイズ 直流側電圧範囲 交流側最大電流 交流側定格電力 スイッチング周波数 デッドタイム 制御電源 電圧センサ 外部インターフェース ゲート信号 Input 外部インターフェース エラー信号 Output 外部インターフェース アナログ信号 Output
変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200-品番-HGCB-4A-401200

HGCB-4A-401200

要見積もり

W: 150mm / D: 110mm / H: 54mm

0V~400V ※DC+、DC-端子間電圧

20Arms ※LおよびN端子電流

4kVA ※AC200V、10Aを想定

200kHz

200ns以上

DC24V

400V / 4V

5V TTL / 負論理 / 入力部は4.7kΩでプルアップ

5V TTL / 負論理 (エラー時Low) / 保護検出時出力

直流電圧センサ 1点 / 交流電流センサ 3点

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

ヘッドスプリング株式会社は、2014年に設立された新エネルギー製品メーカーです。 次世代パワー半導体を使用した小型・双方向の電力変換器や産業用のハイブリッド蓄電システムを取り扱っているほか、新興国向けソリューション事業...

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  • 本社所在地: 東京都
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