変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200
ヘッドスプリング株式会社
この製品について
■biRAPIDを導入した研究・開発で、製品の市場投入までを『高速』 (RAPID) に
パワーエレクトロニクス機器の試作・製造には多くのノウハウ、手間、時間、費用が必要となります。近年SiCやGaNといった高速に動作する半導体を用いることも多く、この場合は設計難易度も格段に高くなります。苦労して設計、試作をしてもノイズでの誤動作などが発生すれば、再度設計・試作を行う必要が生じ、さらに時間を要することとなります。 パワーエレクトロニクスの開発において、迅速 (Rapid) に製品の試作モデルを作成する (Prototyping) 開発方法であるラピッドプロトタイピングを実現する製品「biRAPID」をご用意しました。biRAPIDを用いて、企画・設計・試作のフィードバックサイクルを高速化できます。■パワーエレクトロニクスをパーツで分け、モジュールに
パワーエレクトロニクスの製品やシステムは、変換器、コントローラ、センサなどのパーツで構成されます。それぞれのパーツで分け、モジュールにしたものがbiRAPIDです。お客様のシステムの一部を「biRAPID」のパーツで置き換えることで、試作が必要な箇所を減らし、研究開発・製品開発を高速化することができます。■SiCのHブリッジインバータ
SiC-MOSFET4個をHブリッジ構成で搭載し、およそハガキサイズのフットプリントのコンパクトなインバータ回路ブロックです。 ゲートドライブ回路搭載のためゲート信号を入力することで最大定格電力4kVAの単相インバータ駆動が可能です。 また、本回路ブロック4式を、冷却機構付きの筐体に搭載したセットでのご提供も可能です。 電圧センサ回路も搭載しています。ゲート電源とゲート信号の入力のみで動作可能接続変更で単相インバータ、チョッパ回路に切替。■電圧センサ回路搭載
センサからの検出信号を制御にフィードバックが可能-
シリーズ
変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200
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取扱企業
ヘッドスプリング株式会社
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変換器回路 biRAPID SiCインバータ Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 装置サイズ | 直流側電圧範囲 | 交流側最大電流 | 交流側定格電力 | スイッチング周波数 | デッドタイム | 制御電源 | 電圧センサ | 外部インターフェース ゲート信号 Input | 外部インターフェース エラー信号 Output | 外部インターフェース アナログ信号 Output |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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HGCB-4A-401200 |
要見積もり | W: 150mm / D: 110mm / H: 54mm | 0V~400V ※DC+、DC-端子間電圧 | 20Arms ※LおよびN端子電流 | 4kVA ※AC200V、10Aを想定 | 200kHz | 200ns以上 | DC24V | 400V / 4V | 5V TTL / 負論理 / 入力部は4.7kΩでプルアップ | 5V TTL / 負論理 (エラー時Low) / 保護検出時出力 | 直流電圧センサ 1点 / 交流電流センサ 3点 |
