モジュール型調節計 (プロセス/温度調節計) SRZ
理化工業株式会社
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この製品について
■4台の温度調節計を小型モジュール1台に凝縮
・コンパクトなモジュール1台で4CHの制御が可能です。 (加熱冷却制御タイプの場合は2CH) ・温度制御モジュール (Z-TIO) は最大16台 (最大64CH) まで連結可能です。■各種専用モジュールを用意
・温度制御モジュール (Z-TIO) ：温度/プロセス制御用モジュール ・デジタル入出力モジュール (Z-DIO) ：モード切替・イベント出力等用モジュール ・通信拡張モジュール (Z-COM) ：通信変換・モジュール連結時のデータ管理用モジュール ・CT入力モジュール (Z-CT) ：ヒータ断線警報用CT入力・多点CTモニタ/過電流警報用モジュール■各種フィールドバスへ接続可能 (通信変換器)
・Ethernet系のネットワーク (MODBUS/TCP、EtherCAT、PROFINET) に接続可能です。 ・CC-Link、DeviceNet、PROFIBUS、MECHATROLINKに接続可能な通信変換器も用意しております。■PLCへプログラムレス接続
三菱電機製MELSECシリーズPLCにプログラムレス接続が可能です。■ローダ通信搭載
・全モジュール前面ローダ通信ポートを装備し現場での保守性が向上します。 ・調節計・指示計設定データ管理支援ツールPROTEM2を用意しております。■表示器 (タッチパネル) +PLCを利用したシステム化も対応可能です
・多点温度制御のモニタ、操作を表示器にまとめ、管理しやすいシステムの構築が可能です。 ・PLCを含めた装置全体のシステム構築もサポート可能です。■メモリエリア機能
対象項目：設定値 (SV) 、イベント1～4」、比例帯、積分時間、微分時間、制御応答パラメータ、冷却比例帯、冷却積分時間、冷却微分時間、マニュアルリセット、オーバーラップ/デットバンド、設定変化率リミッタ上昇、設定変化率リミッタ下降、ソーク時間、リンク先エリア番号、LBA、LBD ※メモリエリアリンク設定可能 ※他にも品番がございます。-
シリーズ
モジュール型調節計 (プロセス/温度調節計) SRZ
-
取扱企業
理化工業株式会社
-
カテゴリ
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モジュール型調節計 (プロセス/温度調節計) SRZ 品番10件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | タイプ | 配線方式 | 出力1 | 出力2 | 出力3 | 出力4 | CT入力 | 出荷時設定 | 入力種類 | 入力点数 | サンプリング周期 | 外部抵抗の影響 (熱電対入力) | ⼊⼒断線時の動作 | 出力点数 | メモリエリア数 | 電源電圧 | 消費電力 (最大負荷時) | 停電時の影響 | メモリバックアップ | 許容周囲温度 | 許容周囲湿度 | 適応規格 | RoHS指令 | 質量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Z-TIO-AT-MMMM/NN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | なし | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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Z-TIO-AT-MMMM/AN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります) | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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Z-TIO-AT-MMMV/NN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | SSR駆動用電圧パルス出力 | なし | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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Z-TIO-AT-MMMV/AN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | SSR駆動用電圧パルス出力 | CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります) | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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Z-TIO-AT-MMM3/NN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | 電圧連続出力 DC0~1V | なし | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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Z-TIO-AT-MMM3/AN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | 電圧連続出力 DC0~1V | CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります) | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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Z-TIO-AT-MMM4/NN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | 電圧連続出力 DC0~5V | なし | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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|
Z-TIO-AT-MMM4/AN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | 電圧連続出力 DC0~5V | CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります) | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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Z-TIO-AT-MMM5/NN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | 電圧連続出力 DC0~10V | なし | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g | |
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Z-TIO-AT-MMM5/AN |
要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | 電圧連続出力 DC0~10V | CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります) | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数：約100億回以上 データ記憶保持期間：約10年 |
-10~+50℃ |
5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
