モジュール型調節計 (プロセス/温度調節計) SRZ-Z-TIO-AT-MMMM/NN

モジュール型調節計 (プロセス/温度調節計) SRZ
理化工業株式会社

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この製品について

■4台の温度調節計を小型モジュール1台に凝縮・コンパクトなモジュール1台で4CHの制御が可能です。 (加熱冷却制御タイプの場合は2CH) 
・温度制御モジュール (Z-TIO) は最大16台 (最大64CH) まで連結可能です。

■各種専用モジュールを用意・温度制御モジュール (Z-TIO) ：温度/プロセス制御用モジュール
・デジタル入出力モジュール (Z-DIO) ：モード切替・イベント出力等用モジュール
・通信拡張モジュール (Z-COM) ：通信変換・モジュール連結時のデータ管理用モジュール
・CT入力モジュール (Z-CT) ：ヒータ断線警報用CT入力・多点CTモニタ/過電流警報用モジュール

■各種フィールドバスへ接続可能 (通信変換器) ・Ethernet系のネットワーク (MODBUS/TCP、EtherCAT、PROFINET) に接続可能です。
・CC-Link、DeviceNet、PROFIBUS、MECHATROLINKに接続可能な通信変換器も用意しております。

■PLCへプログラムレス接続三菱電機製MELSECシリーズPLCにプログラムレス接続が可能です。

■ローダ通信搭載・全モジュール前面ローダ通信ポートを装備し現場での保守性が向上します。
・調節計・指示計設定データ管理支援ツールPROTEM2を用意しております。

■表示器 (タッチパネル) +PLCを利用したシステム化も対応可能です・多点温度制御のモニタ、操作を表示器にまとめ、管理しやすいシステムの構築が可能です。
・PLCを含めた装置全体のシステム構築もサポート可能です。

■メモリエリア機能対象項目：設定値 (SV) 、イベント1～4」、比例帯、積分時間、微分時間、制御応答パラメータ、冷却比例帯、冷却積分時間、冷却微分時間、マニュアルリセット、オーバーラップ/デットバンド、設定変化率リミッタ上昇、設定変化率リミッタ下降、ソーク時間、リンク先エリア番号、LBA、LBD　※メモリエリアリンク設定可能

※他にも品番がございます。

型番
この商品には10種類の型番があります

シリーズ
モジュール型調節計 (プロセス/温度調節計) SRZ

取扱企業
理化工業株式会社

カテゴリ

温度制御

温度調節器

メーター・計測機器

調節計

温度制御

温度調整器

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モジュール型調節計 (プロセス/温度調節計) SRZ 品番10件

フィルター

品番	価格 (税抜)	タイプ	配線方式	出力1	出力2	出力3	出力4 リレー接点出力 SSR駆動用電圧パルス出力電圧連続出力 DC0~1V 電圧連続出力 DC0~5V 電圧連続出力 DC0~10V	CT入力なし CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります)	出荷時設定	入力種類	入力点数	サンプリング周期	外部抵抗の影響 (熱電対入力)	⼊⼒断線時の動作	出力点数	メモリエリア数	電源電圧	消費電力 (最大負荷時)	停電時の影響	メモリバックアップ	許容周囲温度	許容周囲湿度	適応規格	RoHS指令	質量
Z-TIO-AT-MMMM/NN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	なし	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMMM/AN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります)	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMMV/NN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	SSR駆動用電圧パルス出力	なし	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMMV/AN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	SSR駆動用電圧パルス出力	CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります)	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMM3/NN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	電圧連続出力 DC0~1V	なし	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMM3/AN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	電圧連続出力 DC0~1V	CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります)	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMM4/NN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	電圧連続出力 DC0~5V	なし	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMM4/AN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	電圧連続出力 DC0~5V	CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります)	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMM5/NN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	電圧連続出力 DC0~10V	なし	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g
Z-TIO-AT-MMM5/AN	要見積もり	4CH温度制御モジュール標準タイプ	端子台タイプ	リレー接点出力	リレー接点出力	リレー接点出力	電圧連続出力 DC0~10V	CT4点 (注意：CTおよび専用ケーブルは別売となります)	なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)	熱電対：K レンジ：-200.0~+1,372.0℃	4点または2点 (入力間絶縁)	0.25秒	約0.125μV/Ω	アップスケール、ダウンスケール選択可	4点	8点 (チャンネル毎、独立設定)	DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)	最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下	4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能	不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ書き換え回数：約100億回以上データ記憶保持期間：約10年	-10~+50℃	5~95％RH ※絶対湿度：MAX.W.C 29.3g/m3　dry air at 101.3kPa	CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合	対応済み	約160g