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SiCショットキーバリアダイオード-TRS10A65F
SiCショットキーバリアダイオード-東和電子株式会社

SiCショットキーバリアダイオード
東和電子株式会社

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この製品について

SiCショットキーバリアダイオード (SBD) は高い逆電圧を特長とします。SBDの特長である高速逆回復時間 (trr) だけでなく、JBS (ジャンクションバリアショットキー) 構造を採用し、スイッチング電源に要求される低リーク電流 (Ir) と高サージ電流を実現した650VのSBDを提供しています。このデバイスによりスイッチング電源の高効率を実現します。

■製品概要

RoHS Compatible Product (s) (#) 適合品あり

  • シリーズ

    SiCショットキーバリアダイオード

企業レビュー 5.0

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2024年12月19日にレビュー済み

顧客対応への満足度

お見積り以外にご相談でき大変助かりました。丁寧な対応でした。

初回対応までの時間への満足度

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Metoree経由で見積もり

2024年10月17日にレビュー済み

顧客対応への満足度

担当者の方が物腰も柔らかく次回以降もお願いしたいと思った

初回対応までの時間への満足度

10.60時間

Metoree経由で見積もり

2024年6月17日にレビュー済み

顧客対応への満足度

見積依頼後直ぐに対応メールを頂き、翌日には第一報の見積を頂きました。 その後、国内/海外ルートの市場在庫情報を頂き、迅速で丁寧な対応です。

初回対応までの時間への満足度

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SiCショットキーバリアダイオード 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 用途 特長 回路数 内部接続 東芝パッケージ名 ピン数 実装区分 パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) 直流順電流 ピーク繰り返し逆電圧 逆電流 (Max) 順電圧 (Max) 順電圧 (Typ.)
SiCショットキーバリアダイオード-品番-TRS10A65F

TRS10A65F

要見積もり

力率改善回路用/太陽光インバーター用/無停電電源用/DC-DCコンバーター用

第2世代チップデザイン

1

シングル

TO-220F-2L

2

リード挿入

10.0×15.0×4.5

10A

650V

50μA

1.6V

1.45V

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波長範囲 nm

200 - 400 400 - 900 900 - 1,300 1,300 - 1,700

量子効率 %

20 - 30 30 - 40 40 - 50 50 - 90

タイミングジッター ps

0 - 40 40 - 70 70 - 150 150 - 300

インターフェース

GigE USB2.0

冷却温度 K

220 - 225 225 - 230 230 - 235 235 - 240 240 - 245

バイアス電圧 範囲 V

0 - 2 2 - 5 5 - 7 7 - 10

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この商品の取り扱い会社情報

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企業レビュー

5.0

会社概要

東和電子株式会社は、エレクトロニクス製品メーカーです。 1977年に設立された東和電子株式会社は、広島県広島市に本社を構えています。主な事業内容は、エレクトロニクス製品の製造・販売です。エレクトロニクス製品とは、電力を...

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  • 本社所在地: 広島県
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