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大気圧ランプアニール装置 RTP・RTA 8インチ対応 AccuThermo AW820M取扱企業
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 対応基板サイズ | 温度制御範囲 TC | 温度制御範囲 (Option) Special-TC | 温度制御範囲 (Option) パイロメータ | 加熱方式 | 冷却方式 | 加熱方向 | 温度制御方式 | 昇温速度 | 降温速度 | 温度測定精度 | 面内温度均一性 | ランプゾーン数 | 試料ローディング方式 | プロセス処理室・試料搭載部 | チャンバー材質 | チャンバー冷却方式 | プロセスガス種 | プロセスガス系統数 | プロセスガス流量制御範囲 | 登録レシピ数 | レシピ当たりのステップ数 | プロセス制御方式 | ソフトウェアの主な機能 | 安全対策 | 外形寸法 | 重量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AccuThermo AW820M |
要見積もり |
標準：φ5インチ~φ8インチ、オプション：φ2インチ~φ4インチ、オプション：200mm×200mm 角型基板、オプション：サセプタ使用時：個片チップ~φ8インチ |
100℃~800℃ |
100℃~1,050℃ ※標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。 |
450℃~1,250℃ ※標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。 |
赤外線ランプ放射加熱 (1.5kW×27本,Top 13、Bottom 14) |
ガスパージによる強制空冷 |
上下面2方向 |
検出温度フィードバックによるクローズドループ制御 |
10℃/sec~150℃/sec ※標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。 |
10℃/sec~150℃/sec ※標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。また物理的冷却速度に制限されます。 |
TC：±1℃ (校正後) ，ERPパイロメータ：±4℃ (校正後) |
ΔT 10℃ ※標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。 |
10ゾーン独立制御 |
フロントローディング (手動) |
石英チューブ、石英トレイ |
アルミニウム合金+拡散反射Auコーティング |
空冷・水冷併用 |
N2、O2、He、Ar、フォーミングガス (水素濃度5％程度) |
標準：1系統 (N2) |
標準：0.2slpm~10slpm (MFCによる制御) |
制限なし |
最大40ステップ (サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応) |
装置組み込みコンピューターボード、RTAProソフトウェア、17インチタッチスクリーン、キーボード、マウス |
リアルタイムプロセスモニタ、レシピ編集・保存・読み出し、プロセスデータリコール、プロセスデータ出力 (Txt形式) 、各種キャリブレーション、システム診断 etc. |
非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc. |
W978×D1,220×H1,780mm |
460kg ※装置寸法・重量には、周辺機器は含まれておりません。 |
