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次世代パワー半導体や高周波デバイスに用いられるワイドバンドギャップ材料である窒化ガリウム (GaN) 。当社の窒化ガリウムエピ基板は独自のバッファー層により高耐圧と良好な平坦性の両立をSi基板上に実現しました (GaN on Si HEMTエピ基板) 。 p-GaN cap層、AlGaN DH構造の開発にも取り組んでおり、ノーマリオフHEMTエピ基板の実現を目指しています。炭化ケイ素 (SiC) やサファイア上のGaNエピ基板、高品質LED用AlNテンプレート (サファイア基板上) にも対応いたします。

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    窒化物系エピ基板 AINテンプレート

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会社概要

DOWAエレクトロニクス株式会社は、電子材料事業および関連事業を主な事業内容とする企業です。 導電材料製品や電池材料製品といった電子材料事業のほか、高純度ガリウムやLEDといった半導体事業も行っています。 特に高純度ガ...

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  • 本社所在地: 東京都

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