ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性-LEC-半絶縁性 4インチ
ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性-DOWAエレクトロニクス株式会社

ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性
DOWAエレクトロニクス株式会社

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この製品について

当社のガリウムヒ素基板は、DVDなどのレーザー用途、LED用途、携帯電話などの電子デバイス用途などに、数多く用いられています。

■用途

高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LED用基板として使用されています。

■製品特徴

VGF法、LEC法にて単結晶を育成しています。 キャリア濃度高制御、低EPDの特徴があります。

  • シリーズ

    ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性

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ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性 品番3件

各品番毎の詳細は品番をクリックしてください

まとめて問合せ・見積 商品画像 品番 価格 (税抜) 結晶成長法 ドーパント、導電型 抵抗率 (at 25℃) 転位密度 (EPD) (cm^-2) サイズ 面方位 直径 (mm) 厚さ (μm) オリフラ長さ OF (mm) IF (mm) 外周加工 加工精度 TTV (μm) 加工精度 TIR (μm) 加工精度 Warp (μm) 面仕上げ 表面 面仕上げ 裏面 表面処理 レーザーマーク 梱包形態
ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性-品番-LEC-半絶縁性 4インチ

LEC-半絶縁性 4インチ

要見積もり LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 法 半絶縁性:アンドープ (Cドープ) >/=1×107 Ω cm
(上記範囲内での調整可能)
EPDave 4インチ 1. (100) ±0.1°
2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc.
3. ご要望に応じます。
100.0±0.1 450-625
±15
32.0±1.0
18.0±1.0
(ご要望に応じ調整可能)
べべル <5.0 <5.0 <10.0 ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) エピレディ オプション カセット又は個装トレイ
ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性-品番-LEC-半絶縁性 3インチ

LEC-半絶縁性 3インチ

要見積もり LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 法 半絶縁性:アンドープ (Cドープ) >/=1×107 Ω cm
(上記範囲内での調整可能)
EPDave 3インチ 1. (100) ±0.1°
2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc.
3. ご要望に応じます。
76.0±0.1
76.2±0.1
350-625
±15
22.0±1.0
12.0±1.0
(ご要望に応じ調整可能)
べべル <5.0 <5.0 <10.0 ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) エピレディ オプション カセット又は個装トレイ
ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性-品番-LEC-半絶縁性 2インチ

LEC-半絶縁性 2インチ

要見積もり LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 法 半絶縁性:アンドープ (Cドープ) >/=1×107 Ω cm
(上記範囲内での調整可能)
EPDave 2インチ 1. (100) ±0.1°
2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc.
3. ご要望に応じます。
50.0±0.1
50.8±0.1
300-450
±15
16.0±1.0
8.0±1.0
(ご要望に応じ調整可能)
べべル <5.0 <5.0 <10.0 ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) エピレディ オプション カセット又は個装トレイ

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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会社概要

DOWAエレクトロニクス株式会社は、電子材料事業および関連事業を主な事業内容とする企業です。 導電材料製品や電池材料製品といった電子材料事業のほか、高純度ガリウムやLEDといった半導体事業も行っています。 特に高純度ガ...

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