ガリウムヒ素基板 VGF-p型 Znドープ
DOWAエレクトロニクス株式会社
この製品について
当社のガリウムヒ素基板は、DVDなどのレーザー用途、LED用途、携帯電話などの電子デバイス用途などに、数多く用いられています。
■用途
高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LED用基板として使用されています。■製品特徴
VGF法、LEC法にて単結晶を育成しています。 キャリア濃度高制御、低EPDの特徴があります。-
シリーズ
ガリウムヒ素基板 VGF-p型 Znドープ
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取扱企業
DOWAエレクトロニクス株式会社
ガリウムヒ素基板 VGF-p型 Znドープ 品番2件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 結晶成長法 | ドーパント、導電型 | キャリア濃度 | 転位密度 (EPD) (cm^-2) | サイズ | 面方位 | 直径 (mm) | 厚さ (μm) | オリフラ長さ OF (mm) IF (mm) | 外周加工 | 加工精度 TTV (μm) | 加工精度 Warp (μm) | 面仕上げ 表面 | 面仕上げ 裏面 | 表面処理 | レーザーマーク | 梱包形態 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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VGF-p型 Znドープ 3インチ |
要見積もり | VGF (Vertical Gradient Freezing) 法 | P型：Znドープ |
P-type (0.5-3) ×1,019 cm^-3 (上記範囲内での調整可能) |
EPDave EPDmax | 3インチ |
1. (100) ±0.1° 2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc. 3. ご要望に応じます |
76.0±0.1 76.2±0.1 |
300-600 ±15 |
22.0±1.0 12.0±1.0 (ご要望に応じ調整可能) |
べべル | <5.0 | <10.0 | ミラー | ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) | エピレディ | オプション | カセット又は個装トレイ | |
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VGF-p型 Znドープ 2インチ |
要見積もり | VGF (Vertical Gradient Freezing) 法 | P型：Znドープ |
P-type (0.5-3) ×1,019 cm^-3 (上記範囲内での調整可能) |
EPDave EPDmax | 2インチ |
1. (100) ±0.1° 2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc. 3. ご要望に応じます |
50.0±0.1 50.8±0.1 |
240-450 ±15 |
16.0±1.0 8.0±1.0 (ご要望に応じ調整可能) |
べべル | <5.0 | <10.0 | ミラー | ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) | エピレディ | オプション | カセット又は個装トレイ |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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