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シリーズ
ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性取扱企業
DOWAエレクトロニクス株式会社| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 結晶成長法 | ドーパント、導電型 | 抵抗率 (at 25℃) | 転位密度 (EPD) (cm^-2) | サイズ | 面方位 | 直径 (mm) | 厚さ (μm) | オリフラ長さ OF (mm) IF (mm) | 外周加工 | 加工精度 TTV (μm) | 加工精度 TIR (μm) | 加工精度 Warp (μm) | 面仕上げ 表面 | 面仕上げ 裏面 | 表面処理 | レーザーマーク | 梱包形態 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LEC-半絶縁性 4インチ |
要見積もり |
LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 法 |
半絶縁性：アンドープ (Cドープ) |
>/=1×107 Ω cm |
EPDave |
4インチ |
1. (100) ±0.1° |
100.0±0.1 |
450-625 |
32.0±1.0 |
べべル |
<5.0 |
<5.0 |
<10.0 |
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) |
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) |
エピレディ |
オプション |
カセット又は個装トレイ |
|
|
|
LEC-半絶縁性 3インチ |
要見積もり |
LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 法 |
半絶縁性：アンドープ (Cドープ) |
>/=1×107 Ω cm |
EPDave |
3インチ |
1. (100) ±0.1° |
76.0±0.1 |
350-625 |
22.0±1.0 |
べべル |
<5.0 |
<5.0 |
<10.0 |
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) |
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) |
エピレディ |
オプション |
カセット又は個装トレイ |
|
|
|
LEC-半絶縁性 2インチ |
要見積もり |
LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 法 |
半絶縁性：アンドープ (Cドープ) |
>/=1×107 Ω cm |
EPDave |
2インチ |
1. (100) ±0.1° |
50.0±0.1 |
300-450 |
16.0±1.0 |
べべル |
<5.0 |
<5.0 |
<10.0 |
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) |
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) |
エピレディ |
オプション |
カセット又は個装トレイ |
