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シリーズ
ガリウムヒ素基板 VGF-p型 Zn＋Siドープ取扱企業
DOWAエレクトロニクス株式会社| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 結晶成長法 | ドーパント、導電型 | キャリア濃度 | 転位密度 (EPD) (cm^-2) | サイズ | 面方位 | 直径 (mm) | 厚さ (μm) | オリフラ長さ OF (mm) IF (mm) | 外周加工 | 加工精度 TTV (μm) | 加工精度 Warp (μm) | 面仕上げ 表面 | 面仕上げ 裏面 | レーザーマーク | 梱包形態 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VGF-p型 Zn＋Siドープ 3インチ |
要見積もり |
VGF (Vertical Gradient Freezing) 法 |
P型：Zn+Siドープ |
P-type (0.5-3) ×1,019 cm^-3 |
EPDave EPDmax |
3インチ |
1. (100) ±0.1° |
76.0±0.1 |
300-600 |
22.0±1.0 |
べべル |
<5.0 |
<10.0 |
ミラー |
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) |
オプション |
カセット又は個装トレイ |
|
|
|
VGF-p型 Zn＋Siドープ 2インチ |
要見積もり |
VGF (Vertical Gradient Freezing) 法 |
P型：Zn+Siドープ |
P-type (0.5-3) ×1,019 cm^-3 |
EPDave EPDmax |
2インチ |
1. (100) ±0.1° |
50.0±0.1 |
240-450 |
16.0±1.0 |
べべル |
<5.0 |
<10.0 |
ミラー |
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) |
オプション |
カセット又は個装トレイ |
