GaNウェーハ GaNテンプレート (φ4インチ)-GaN-T-C-N-C100
GaNウェーハ GaNテンプレート (φ4インチ)-株式会社豊港

GaNウェーハ GaNテンプレート (φ4インチ)
株式会社豊港



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この製品について

パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザ用に使用されます。

■特徴

・少数枚から販売 ・パワーLSI、高輝度LED、レーザー用として注目 ・高品質 (少ない結晶欠陥) ・低価格 (対他社比較)

  • シリーズ

    GaNウェーハ GaNテンプレート (φ4インチ)

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GaNウェーハ GaNテンプレート (φ4インチ) 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 直径 GaN膜厚 方位面 導電タイプ オリフラ方位。長さ 電気抵抗率 (300K) 転移欠陥密度 基板構造 有効面積 表面仕上げ 梱包方法
GaNウェーハ GaNテンプレート (φ4インチ)-品番-GaN-T-C-N-C100

GaN-T-C-N-C100

要見積もり φ100mm ± 0.1mm 4um
10~25um
C面 (0001) 面 ± 0.5° N型 (Undoped) オリフラ方位 (1-100)
オリフラ長さ30 ± 1mm
< 0.5Ω・cm 5×108個/cm2以下 GaN / サファイアウェーハ (0001) 面 90%以上 Ga面:CMP仕上げ
N面:ファイングランディング (オプション:光学鏡面仕上げ)
クリーンルーム内にて窒素封入
1枚ごと梱包、又は25枚カセット

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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