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電子部品・半導体・ケース 半導体 トランジスタ/FET トランジスタアレイ 抵抗入り NPN ダーリントントランジスタ-TTD1509B
電子部品・半導体・ケース 半導体 トランジスタ/FET トランジスタアレイ 抵抗入り NPN ダーリントントランジスタ-共立電子産業株式会社

電子部品・半導体・ケース 半導体 トランジスタ/FET トランジスタアレイ 抵抗入り NPN ダーリントントランジスタ
共立電子産業株式会社



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この製品について

■概要

電力増幅用/スイッチング用、NPN型トランジスタ。ダーリントン接続のため直流電流増幅率 (hFE) が高く、少ないベース電流でのスイッチングが可能です。

  • シリーズ

    電子部品・半導体・ケース 半導体 トランジスタ/FET トランジスタアレイ 抵抗入り NPN ダーリントントランジスタ

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電子部品・半導体・ケース 半導体 トランジスタ/FET トランジスタアレイ 抵抗入り NPN ダーリントントランジスタ 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) メーカー コレクタ-ベース間電圧 (VCBO) コレクタ-エミッタ間電圧 (VCEO) コレクタ電流 (Ic) コレクタ損失 (Pc) 直流電流増幅率 (hFE) トランジション周波数 (fT) コレクタ出力容量 (Cob) パッケージ 足配置 コンプリメンタリ 商品コード
電子部品・半導体・ケース 半導体 トランジスタ/FET トランジスタアレイ 抵抗入り NPN ダーリントントランジスタ-品番-TTD1509B

TTD1509B

要見積もり

東芝 セミコンダクター&ストレージ社

80V

80V

2A

1.5W

2,000 (min./Ic=1A)

100MHz

20pF

TO-126N

(1) E/ (2) C/ (3) B

TTB1067B

P4B311

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使用用途

#アナログスイッチング #高速スイッチング #信号変調

トランジスタ構成

NPNアレイ PNPアレイ

内蔵素子の有無

保護ダイオード内蔵 ベース抵抗内蔵 プリドライバ内蔵

VDS V

0 - 100 100 - 700

ID 最大値 A

0 - 10 10 - 50

消費電力 mW

200 - 300 300 - 1,300

容量 pF

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 3,500

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

共立電子産業株式会社は電子部品・電子機器の製造・販売や、コンピューターハードウェア・ソフトウェア・セキュリティセンサー等の開発から販売までを手掛けている企業です。 1970年に電子部品の販売を開始して以降50年を超えて、...

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  • 本社所在地: 大阪府
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