3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam-Crossbeam 350

3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam-Crossbeam 550

3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam-Crossbeam laser

3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam-相関クライオ顕微鏡ワークフロー

3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam-カールツァイス株式会社

3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam
カールツァイス株式会社

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この製品について

■概要イメージングと分析性能を兼ね備えた高分解能電界放出型走査電子顕微鏡 (FE-SEM) に、次世代集束イオンビーム (FIB) の処理能力を統合。複数のユーザーがいる施設や、学術・産業研究所での研究開発に適しています。Crossbeamは、ミリング、イメージングや3D分析においてFIBアプリケーションをスピードアップします。

技術仕様
■SEM：Crossbeam 350ショットキー エミッター/1.7nm@1kV/1.5nm@1kV (Tandem Decel 使用) /1.9nm@200V (Tandem Decel 使用) /0.9nm@15kV/0.7nm@30kV (STEM モード) /2.3nm@1kV (WD5mm) /1.7nm@1kV (Tandem Decel使用、WD5 mm) /1.1nm@15kV (WD5mm) /2.3nm@20kV&10nA (WD5mm) /ビーム電流：5pA～100nA

■SEM：Crossbeam 550ショットキー エミッター/1.4nm@1kV/1.2nm@1kV (Tandem Decel 使用) /1.6nm@200V (Tandem Decel 使用) /0.7nm@15kV/0.6nm@30kV (STEM モード) /1.8nm@1kV (WD5mm) /1.3nm@1kV (Tandem Decel使用、WD5 mm) /0.9nm@15kV (WD5mm) /2.3nm@20kV&10nA (WD5mm) /ビーム電流：5pA～100nA

■検出器：Crossbeam 350Inlens SE、Inlens EsB、VPSE (圧力可変モード用2次電子検出器) 、SESI (2次電子／2次イオン) 、aSTEM (透過電子検出器) 、aBSD (反射電子検出器) 

■検出器：Crossbeam 550Inlens SE、Inlens EsB、ETD (Everhard-Thornley2次電子検出) 、SESI (2次電子/2次イオン) 、aSTEM (透過電子検出器) 、aBSD (反射電子検出器) 、CL (カソードルミネッセンス検出器) 

型番
この商品には4種類の型番があります

シリーズ
3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam

取扱企業
カールツァイス株式会社

カテゴリ

観察機器

電子顕微鏡

観察機器

走査型電子顕微鏡

観察機器

FIB-SEM

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3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam 品番4件

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使用用途: 3D分析

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	商品画像	品番	価格 (税抜)	FIB 液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA (オプション) 液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30 kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA	チャンバーサイズとポート標準 (18基のポート) 標準 (18基のポート) /ラージサイズ (22 基のポート)	ステージ X/Y=100mm/Z=50mm,Z'=13mm/T=–4°~70°,R=360° X/Y=100mm/X/Y=153mm/Z=50mm,Z‘=13mm/Z=50mm,Z‘=20mm/T=–4°~70°,R=360°/T=–15°~70°,R=360°	帯電制御フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置) /圧力可変フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置)	ガス Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2	解像度 32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで)	分析オプション EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他	利点圧力可変モードにより多様な試料に対応、広範囲のin situ実験が可能ハイスループットな分析とイメージング、あらゆる条件での高分解能イメージング	引き込み式 ToF-SIMS 分光器検出限界シリコン内のホウ素<4.2ppm	引き込み式 ToF-SIMS 分光器横方向の分解能 <35nm	引き込み式 ToF-SIMS 分光器質量電荷比 1~500Th	引き込み式 ToF-SIMS 分光器質量分解能 m/Δm>500FWTM	引き込み式 ToF-SIMS 分光器深さ方向の分解能 <20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム	フェムト秒レーザー種別 DPSS	フェムト秒レーザー波長 (λ) 515nm (緑)	フェムト秒レーザー光学系テレセントリック	フェムト秒レーザーパルス持続時間 <350fs	フェムト秒レーザースポットサイズ <15µm	フェムト秒レーザー走査範囲サイズ 40x40mm²
		Crossbeam 350	要見積もり	液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA (オプション)	標準 (18基のポート)	X/Y=100mm/Z=50mm,Z'=13mm/T=–4°~70°,R=360°	フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置) /圧力可変	Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2	32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで)	EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他	圧力可変モードにより多様な試料に対応、広範囲のin situ実験が可能	シリコン内のホウ素<4.2ppm	<35nm	1~500Th	m/Δm>500FWTM	<20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム	DPSS	515nm (緑)	テレセントリック	<350fs	<15µm	40x40mm²