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ブラシ付きDC / ソレノイドドライバ 55V、3A、ハーフブリッジ・パワードライバ、AEC-Q100認定済み MPQ6610-AEC1-MPQ6610-AEC1
ブラシ付きDC / ソレノイドドライバ 55V、3A、ハーフブリッジ・パワードライバ、AEC-Q100認定済み MPQ6610-AEC1-MPSジャパン合同会社

ブラシ付きDC / ソレノイドドライバ 55V、3A、ハーフブリッジ・パワードライバ、AEC-Q100認定済み MPQ6610-AEC1
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この製品について

■概要

MPQ6610-AEC1は、電流測定およびレギュレーション機能を備えたハーフブリッジドライバです。このデバイスは、パッケージ、PCB設計、および周囲温度に応じて、4Vから55Vの広い入力電圧 (VIN) 範囲で最大3Aの出力電流 (IOUT) を供給できます。MPQ6610-AEC1は、ブラシ付きDCモータ、ソレノイド、およびその他の負荷を駆動するように設計されています。 内部電流検出回路は、負荷電流に比例する出力電圧 (VOUT) を提供します。MPQ6610-AEC1は、サイクルごとの電流制限およびレギュレーションも備えています。これらの機能では、低抵抗のシャント抵抗を使用する必要はありません。 内部診断および保護機能には、解放負荷検出 (OLD) 、過電流保護 (OCP) 、低電圧ロックアウト (UVLO) 、および過熱時遮断が含まれます。MPQ6610-AEC1は、TSOT23-8およびSOIC-8パッケージで入手可能です。ピン間隔が小さいため、TSOT23-8パッケージは、コンフォーマルコーティングまたはカプセル化を使用しない限り、最大で45Vのアプリケーションにのみ推奨されます。

■製品特長

・4Vから55Vの広い入力電圧 (VIN) 範囲と高い3A出力電流 (IOUT) ・電流センスを内蔵 ・低RDS (ON) : 100mΩ HS-FET + 120mΩ LS-FET ・小型の TSOT23-8 および SOIC-8 パッケージで提供 ・AEC-Q100 グレード1認定済み

■機能と利点

・4V～55Vの広い動作入力電圧 (VIN) ・最大3Aの出力電流 (IOUT) ・内蔵ハーフブリッジドライバ ・サイクルごとの電流制限とレギュレーション ・低オン抵抗: ・100mΩ ハイサイドMOSFET (HS-FET) ・120mΩ ローサイドMOSFET (LS-FET) ・制御電源不要 ・シンプルで用途の広いロジックインターフェース ・2.5V、3.3V、および5Vロジックと互換性のある入力 ・開放負荷検出 (OLD) ・過電流保護 (OCP) ・入力電圧の低電圧でロックアウト (UVLO) ・過熱時遮断 ・障害表示出力 ・熱強化パッケージ ・TSOT23-8 および SOIC-8 パッケージで提供能

  • シリーズ

    ブラシ付きDC / ソレノイドドライバ 55V、3A、ハーフブリッジ・パワードライバ、AEC-Q100認定済み MPQ6610-AEC1

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ブラシ付きDC / ソレノイドドライバ 55V、3A、ハーフブリッジ・パワードライバ、AEC-Q100認定済み MPQ6610-AEC1 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 入力電圧 (最小) (V) 入力電圧 (最大) (V) Number of Half-Bridges Iout (max) (A) Control Interface グレード パッケージ (mm)
ブラシ付きDC / ソレノイドドライバ 55V、3A、ハーフブリッジ・パワードライバ、AEC-Q100認定済み MPQ6610-AEC1-品番-MPQ6610-AEC1

MPQ6610-AEC1

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4

55

1

3

PWM

Automotive

SOIC-8, TSOT23-8

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電源電圧 V

0 - 10 10 - 50 50 - 1000

最大出力電流 A

0 - 1 1 - 5 5 - 10 10 - 25 25 - 50 50 - 100 100 - 200

駆動方式

MOSFET PWM バイポーラ ユニポーラ

動作温度 ℃

-60 - -40 -40 - 0 0 - 40 40 - 60 60 - 80 80 - 100 100 - 120

最大入力パルス周波数 kHz

0 - 100 100 - 300 300 - 600 600 - 1000

分解能 rev

0 - 1000 1000 - 10000 10000 - 100000

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