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ブラシレスDCプリドライバ 100V、8A、高周波、ハーフブリッジ・ゲートドライバ、AEC-Q100認定 MPQ1923-AEC1-MPQ1923-AEC1
ブラシレスDCプリドライバ 100V、8A、高周波、ハーフブリッジ・ゲートドライバ、AEC-Q100認定 MPQ1923-AEC1-MPSジャパン合同会社

ブラシレスDCプリドライバ 100V、8A、高周波、ハーフブリッジ・ゲートドライバ、AEC-Q100認定 MPQ1923-AEC1
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この製品について

■概要

MPQ1923は、高周波、NチャネルMOSFET、ハーフブリッジ・ゲートドライバです。デバイスのローサイドMOSFET (LS-FET) およびハイサイドMOSFET (HS-FET) ドライバチャネルは別々に制御され、5ns未満の時間遅延で一致します。 供給が不十分な場合、デバイスのHS-FETおよびLS-FET低電圧誤動作防止機能 (UVLO) 保護により、出力が強制的にLowになります。MPQ1923は、外付け部品数を減らすための統合されたブートストラップ (BST) ダイオードも備えています。MPQ1923は、QFN-10 (4mm x 4mm) パッケージとQFN-8 (4mm x 4mm) パッケージで提供されます。

■機能と利点

・NチャネルMOSFETハーフブリッジを駆動 ・4.5Vの低電圧誤動作防止機能 (UVLO) 立ち下がりしきい値による低ドロップアウト ・120Vブートストラップ電圧 (VBST) 範囲 ・オンチップ・ブートストラップ (BST) ダイオード ・20nsの代表的な伝播遅延 ・12V VDDで8Aのシンク電流、7Aのソース電流 ・5ns未満のゲートドライバマッチング時間遅延 ・12V VDDで、7.2nsの立ち上がり時間 (tRISE) と5.5ns の立ち下がり時間 (tFALL) をもつ1nFの負荷を駆動 ・Transistor-to-Transistor Logic (TTL) - 互換入力 ・<300μAの静止電流 (自己消費電流) ・HS-FETとLS-FETゲートドライバのUVLO保護 ・QFN-10 (4mm x 4mm) およびQFN-8 (4mm x 4mm) パッケージで提供 ・AEC-Q100 グレード1準拠

■入手可能な製品番号

・MPQ1923GRE-AEC1-Z MPQ1923GRE-AEC1-P MPQ1923GR-AEC1-Z MPQ1923GR-AEC1-P ・PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します

  • シリーズ

    ブラシレスDCプリドライバ 100V、8A、高周波、ハーフブリッジ・ゲートドライバ、AEC-Q100認定 MPQ1923-AEC1

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