クラス最高のコストパフォーマンス低ノイズ・高分解能オシロスコープ WaveSurfer 4000HD | テレダイン・ジャパン株式会社（テレダイン・レクロイ）

クラス最高のコストパフォーマンス低ノイズ・高分解能オシロスコープ WaveSurfer 4000HD 品番4件

フィルター

品番	価格 (税抜)	アナログ帯域幅@50Ω (-3dB) 200 MHz 350 MHz 500 MHz 1gHz	立ち上がり時間 (10-90%) 1.75 ns 1ns 700ps 450ps	入力チャンネル	垂直分解能	有効ビット数 (ENOB) 8.3 8.5 8.6 8.7	垂直ノイズフロア1mV/div~1V/div 65μV~2.7mV 70μV~2.9mV 90μV~3.5mV 125μV~4.7mV	感度	DCゲイン精度 (DC精度のゲイン・コンポーネント)	チャンネル間アイソレーション 60dB 60dB@DC~200MHz、50dB@200~350MHz 60dB@DC~200MHz、50dB@200~500MHz 60dB@DC~200MHz、50dB@200~500MHz、40dB@500MHz~1GHz	オフセット・レンジ	オフセット精度	最大入力電圧	入力カップリング	入力インピーダンス	周波数帯域制限 20 MHz 20 MHz, 200 MHz	リスケーリング	水平軸－アナログ・チャンネル捕捉モード	タイムベース	タイムベース・レンジ	クロック精度	捕捉－アナログ・チャンネルサンプリング速度	標準メモリ長オプション (4ch / 2ch)	アベレージング回数	垂直軸、水平軸、捕捉-デジタル・チャンネルWS4KHD-MSOオプションのみ入力チャンネル	スレッショルドのグループ分け	スレッショルドの選択	スレッショルド精度	垂直軸、水平軸、捕捉-デジタル・チャンネルWS4KHD-MSOオプションのみ最大入力電圧	入力ダイナミック・レンジ	最小入力電圧スイング
4024HD	要見積もり	200 MHz	1.75 ns	4	12ビット	8.7	65μV~2.7mV	50 Ω: 1 mV–1 V/div (連測可変設定可能) , fully variable; 1 MΩ: 1 mV–10 V/div (連測可変設定可能)	フルスケールの±0.5%、オフセット0V時	60dB	50 Ω: 1 mV~4.95 mV: ±1.6 V; 5 mV~9.9 mV: ±4 V、10 mV~19.8 mV: ±8 V; 20 mV~1 V: ±10 V	± (オフセット値の1.0% + フルスケールの0.5% + 最大オフセットの0.02% + 1 mV)	50 Ω: 5 Vrms, ±10Vピーク、 1 MΩ: 400 V max (DC + ピーク AC ≤ 10 kHz)	1 MΩ: AC, DC,gND; 50 Ω: DC,gND	50 Ω: ±2.0%; 1 MΩ: ±2.0%、15 pF	20 MHz	電気: ボルト、アンペア	リアルタイム、ロール、アベレージ、シーケンス (最大1,000セグメント、最小1μsのデッドタイム)	内部のタイムベースは4入力共通	500 ps/div~100 s/div	±2.5ppm 校正から+ 1ppm/年	2.5gS/s (4ch) 、5gS/s (2ch)	12.5 Mポイント/25 Mポイント	加算アベレージング最高1024スィープ	16 デジタル,チャンネル	Pod 2: D15~D8, Pod 1: D7~D0	TTL (+1.4 V) 、5 V CMOS (+2.5 V) , ECL (-1.3 V) またはユーザー定義	± (スレッショルド設定値の3% + 100 mV)	±30Vピーク	±20V	500 mVpp
4034HD	要見積もり	350 MHz	1ns	4	12ビット	8.6	70μV~2.9mV	50 Ω: 1 mV–1 V/div (連測可変設定可能) , fully variable; 1 MΩ: 1 mV–10 V/div (連測可変設定可能)	フルスケールの±0.5%、オフセット0V時	60dB@DC~200MHz、50dB@200~350MHz	50 Ω: 1 mV~4.95 mV: ±1.6 V; 5 mV~9.9 mV: ±4 V、10 mV~19.8 mV: ±8 V; 20 mV~1 V: ±10 V	± (オフセット値の1.0% + フルスケールの0.5% + 最大オフセットの0.02% + 1 mV)	50 Ω: 5 Vrms, ±10Vピーク、 1 MΩ: 400 V max (DC + ピーク AC ≤ 10 kHz)	1 MΩ: AC, DC,gND; 50 Ω: DC,gND	50 Ω: ±2.0%; 1 MΩ: ±2.0%、15 pF	20 MHz, 200 MHz	電気: ボルト、アンペア	リアルタイム、ロール、アベレージ、シーケンス (最大1,000セグメント、最小1μsのデッドタイム)	内部のタイムベースは4入力共通	500 ps/div~100 s/div	±2.5ppm 校正から+ 1ppm/年	2.5gS/s (4ch) 、5gS/s (2ch)	12.5 Mポイント/25 Mポイント	加算アベレージング最高1024スィープ	16 デジタル,チャンネル	Pod 2: D15~D8, Pod 1: D7~D0	TTL (+1.4 V) 、5 V CMOS (+2.5 V) , ECL (-1.3 V) またはユーザー定義	± (スレッショルド設定値の3% + 100 mV)	±30Vピーク	±20V	500 mVpp
4054HD	要見積もり	500 MHz	700ps	4	12ビット	8.5	90μV~3.5mV	50 Ω: 1 mV–1 V/div (連測可変設定可能) , fully variable; 1 MΩ: 1 mV–10 V/div (連測可変設定可能)	フルスケールの±0.5%、オフセット0V時	60dB@DC~200MHz、50dB@200~500MHz	50 Ω: 1 mV~4.95 mV: ±1.6 V; 5 mV~9.9 mV: ±4 V、10 mV~19.8 mV: ±8 V; 20 mV~1 V: ±10 V	± (オフセット値の1.0% + フルスケールの0.5% + 最大オフセットの0.02% + 1 mV)	50 Ω: 5 Vrms, ±10Vピーク、 1 MΩ: 400 V max (DC + ピーク AC ≤ 10 kHz)	1 MΩ: AC, DC,gND; 50 Ω: DC,gND	50 Ω: ±2.0%; 1 MΩ: ±2.0%、15 pF	20 MHz, 200 MHz	電気: ボルト、アンペア	リアルタイム、ロール、アベレージ、シーケンス (最大1,000セグメント、最小1μsのデッドタイム)	内部のタイムベースは4入力共通	500 ps/div~100 s/div	±2.5ppm 校正から+ 1ppm/年	2.5gS/s (4ch) 、5gS/s (2ch)	12.5 Mポイント/25 Mポイント	加算アベレージング最高1024スィープ	16 デジタル,チャンネル	Pod 2: D15~D8, Pod 1: D7~D0	TTL (+1.4 V) 、5 V CMOS (+2.5 V) , ECL (-1.3 V) またはユーザー定義	± (スレッショルド設定値の3% + 100 mV)	±30Vピーク	±20V	500 mVpp
4104HD	要見積もり	1gHz	450ps	4	12ビット	8.3	125μV~4.7mV	50 Ω: 1 mV–1 V/div (連測可変設定可能) , fully variable; 1 MΩ: 1 mV–10 V/div (連測可変設定可能)	フルスケールの±0.5%、オフセット0V時	60dB@DC~200MHz、50dB@200~500MHz、40dB@500MHz~1GHz	50 Ω: 1 mV~4.95 mV: ±1.6 V; 5 mV~9.9 mV: ±4 V、10 mV~19.8 mV: ±8 V; 20 mV~1 V: ±10 V	± (オフセット値の1.0% + フルスケールの0.5% + 最大オフセットの0.02% + 1 mV)	50 Ω: 5 Vrms, ±10Vピーク、 1 MΩ: 400 V max (DC + ピーク AC ≤ 10 kHz)	1 MΩ: AC, DC,gND; 50 Ω: DC,gND	50 Ω: ±2.0%; 1 MΩ: ±2.0%、15 pF	20 MHz, 200 MHz	電気: ボルト、アンペア	リアルタイム、ロール、アベレージ、シーケンス (最大1,000セグメント、最小1μsのデッドタイム)	内部のタイムベースは4入力共通	500 ps/div~100 s/div	±2.5ppm 校正から+ 1ppm/年	2.5gS/s (4ch) 、5gS/s (2ch)	12.5 Mポイント/25 Mポイント	加算アベレージング最高1024スィープ	16 デジタル,チャンネル	Pod 2: D15~D8, Pod 1: D7~D0	TTL (+1.4 V) 、5 V CMOS (+2.5 V) , ECL (-1.3 V) またはユーザー定義	± (スレッショルド設定値の3% + 100 mV)	±30Vピーク	±20V	500 mVpp