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XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-2"~4"GaN基板
XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-株式会社トゥーリーズ

XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板
株式会社トゥーリーズ

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この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。 気相成長法 (HVPE) 技術によって成長させた欠陥密度の低いGaN基板を1枚からご提供いたします。 電離放射線に対して他のIII族窒化物と同様に感度が低いGaNを、衛星用の太陽電池アレイや通信、気象、監視衛星用の高出力、高周波デバイスなどの宇宙用途に適した材料となっています。 ※価格はサイズなど仕様及び数量に大きく依存します。

  • シリーズ

    XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板

企業レビュー 5.0

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2024年11月18日にレビュー済み

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XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板 品番2件

フィルター
商品画像 品番 価格 (税抜) 抵抗値 TTV BOW 研磨 有効範囲
XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-品番-2"~4"GaN基板

2"~4"GaN基板

要見積もり

2インチ (50.8) m
4インチ (100.0)mm

260,330,430,500,他
±20um

Undoed,Ge, Si, Mg, Fe

N (Undoped,Si,Ge)
P (Mg)
半絶 (Fe)
※タイプはドープ種類で決まります

C軸 (0001) ±0.5° A軸 (11-20) ±0.5°
R軸 (1-102) ±0.5° M軸 (10-10) ±0.5°
※C軸以外は希望仕様でご提供できない場合があります。

(1-100) ±0.5°※主面C軸時

16mm

(11-20) ±3°

8±1mm

Nタイプ:<0.5ohm.cm
半絶縁体:>10^⁶ohm.cm

<5x10⁸cm²

≦2cm⁻²
>2cm⁻²

≦15um

≦20um

エピレディ研磨,Ra<0.2nm
裏面fine ground又はRough grinded

≧90%

XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-品番-チップ加工GaN基板

チップ加工GaN基板

要見積もり

5x5.5mm
10x10.5mm
14x15mm

230±20um
280±20um

- -

C軸 (0001) ±0.5°

- - - -

Nタイプ:<0.5ohm.cm
半絶縁体:>10^⁶ohm.cm

<5x10⁶cm²

0

≦15um

≦20um

エピレディ研磨,Ra<0.2nm
裏面fine ground又はRough grinded

≧90%

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会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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