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ANNEAL 卓上型ウエハーアニール装置-ハロゲンランプヒーターMax500℃
ANNEAL 卓上型ウエハーアニール装置-テルモセラ・ジャパン株式会社

ANNEAL 卓上型ウエハーアニール装置
テルモセラ・ジャパン株式会社



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この製品について

■概要

3台までのMFCによる高精度プロセス雰囲気制御、操作性に優れたタッチパネル、安定した温度制御・優れた面内均一性。プロセス条件に合わせて3種類のヒーター熱源を選択可能な加熱ステージ、多目的なR&D用卓上ウエハーアニール装置。ANNEAL卓上型ウエハーアニール装置は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1,000℃までの高温熱処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保されており、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、APCプロセス自動圧力制御システムなどのオプションも豊富に揃えております。 バルブ開閉、ポンプ・ゲージなど付属機器の起動などの操作が分散せず、全て前面7”タッチパネルより操作, データ管理など一元管理が可能。

■ハロゲンランプヒーター:Max500℃

遠赤外線加熱による高効率・高速基板加熱。基板温度で約350℃までのアニール処理が可能。最も廉価なオプションですが、急速加熱・急冷ができ、さらに均一熱処理にも優れており、コストパフォーマンスの高い発熱源です。

■C/Cコンポジットヒーター:Max1,000℃

C/Cコンポジット素線を使用することにより、最高制御温度1,000℃, 基板温度約850℃程度までの高温アニール処理が可能です。一般的な抵抗発熱体と比較し機械的強度に優れている為熱変形が少なく、又急速昇温も可能です。*C/Cコンポジットは350℃以上より酸化します為、O2使用の際はSiCコーティングをご使用下さい。

■SiCコーティング・グラファイトヒーター:Max1,000℃

最高制御温度1,000℃、基板温度で約850℃までの超高温アニール処理が可能。SiCコーティング処理により、高温環境下でもC/Cコンポジット発熱体の酸化を防ぎます。

  • シリーズ

    ANNEAL 卓上型ウエハーアニール装置

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ANNEAL 卓上型ウエハーアニール装置 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) ウエハーサイズ プロセスガス 真空排気系 到達真空度 温度センサー オプション
ANNEAL 卓上型ウエハーアニール装置-品番-ハロゲンランプヒーターMax500℃

ハロゲンランプヒーターMax500℃

要見積もり

Φ4inch、又はφ6inch

最大3系統 MFC付属

ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ、WRGワイドレンジゲージ

5×10-5Pa

Kタンプ熱電対

・APC プロセス圧力自動制御パッケージ
・キャパシタンスマノメータ、大気圧制御モジュール
・H2ガス希釈モジュール、ドライスクロールポンプ

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

半導体・電子部品などの研究・開発・製造プロセスに必要な要素である「熱」応用製品の販売を基盤とし、「基板加熱ヒーター」「温度計測機器」「実験炉」「薄膜実験装置」他企画開発商品の販売を行うことにより先端分野発展の一旦を担い、...

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  • 本社所在地: 東京都
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