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横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene-MPCVD-Graphene
横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene-株式会社マイクロフェーズ

横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene
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この製品について

炭化水素ガス (CH4やC2H2) を用いたCVD法で触媒基板 (Ni、Cuなど) にグラフェン膜を成長するには、 基板の急冷が重要要素の一つと言われています。 本装置には、炉心管がそのままで、加熱部だけをスライド移動できるような機構が設けられています。 このスライド機構により、炉のホットゾーンをサンプル位置から素早く外すことができ、サンプルの急冷が可能になります。 また、オプションで高真空排気システムを搭載することにより、より広い面積の単層グラフェン膜が容易に成膜できます。

■目的

グラフェン膜を合成するための管状炉 (50mmφ) タイプの熱CVD装置です。

■特徴

・炉のスライド移動機構を搭載、サンプルの急加熱／急冷却が可能 ・3系統のマスフローガス流量制御系、正確なガス制御が可能 ・コンパクトでしっかりした筐体設計、卓上実験台などに簡単設置

■オプション

・モータ駆動による自動スライド機能も追加可能 ・ターボ排気ポンプの追加により、さらに高品質のグラフェンが成膜可能 ・熱電対センサーを炉内に導入、試料温度を直接モニター可能

  • シリーズ

    横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene

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横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 管状炉 温度制御 管状炉 常用使用温度 管状炉 炉内寸法 管状炉 電気容量 炉心管 サイズ 外形寸法 管状炉 外形寸法 ガス制御 マスフローコントローラ 導入ガス種 真空計 排気ポンプ 炉心管 材質
横型CNT グラフェン合成装置 MPCVD-Graphene-品番-MPCVD-Graphene

MPCVD-Graphene

要見積もり

1ゾーン プログラム付温度調節計

400~1,000℃

60mmφ×L260mm

700W

OD50mm×ID46mm×L1,200mm

W1,400mm×H1,000mm×D500mm

W300mm×H200mm×D186mm

キャリアガス：N2 or Ar、還元ガス：H2、炭化水素ガス：C2H2 or C2H4 or CH4

ブルドン管真空計

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この商品の取り扱い会社情報

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会社概要

株式会社マイクロフェーズは、カーボンナノチューブ、ナノ材料、ナノテクノロジーの分野の研究開発と、これらを使った事業の支援を行う会社です。 1999年に設立して、2002年に筑波大学発ベンチャーとして認定されました。さま...

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  • 本社所在地: 茨城県

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