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MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0203AC1-INJ0203AC1
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0203AC1-イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0203AC1
イサハヤ電子株式会社



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この製品について

INJ0203AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低電圧用途に最適です。

■特長

・入力インピーダンスが高いため駆動電流を考慮する必要がない。 ・ドレイン電流が大きい。ID=-2A ・駆動電圧 -2.5V ・RDS (on) が低い。RDS (on) =100mΩ標準。 ・スイッチング速度が早い。 ・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能。

■用途

高速スイッチング、アナログスイッチング等

  • シリーズ

    MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0203AC1

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MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0203AC1 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) イサハヤパッケージ JEITAパッケージ 極性 P (mW) VDSS (V) VGSS (V) ID (A) 駆動電圧 (V) Ron (Ω) Ciss (pF) Coss (pF) ton (ns) toff (ns)
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0203AC1-品番-INJ0203AC1

INJ0203AC1

要見積もり

ミニタイプ

SC-59

Pch

200

-20

±10

-2

-2.5

0.1

340

90

230

940

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

イサハヤ電子株式会社は、1973年に設立された、半導体デバイスおよび電子機器メーカーです。 1991年には、関連会社(株)アイ・ディー・シーと合併し、2002年以降は海外へ販売拠点を持つなど、事業を拡大しています。 小...

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  • 本社所在地: 長崎県
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