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MOS形電界効果トランジスタ 超低電圧駆動用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0043AM1-INJ0043AM1
MOS形電界効果トランジスタ 超低電圧駆動用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0043AM1-イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ 超低電圧駆動用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0043AM1
イサハヤ電子株式会社



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この製品について

INJ0043AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコン P チャンネルMOS形トランジスタです。駆動電圧が低く設計されておりますので、ポータブル機器や携帯機器等の低電圧用途に最適です。

■特長

・入力インピーダンスが高いため駆動電流を考慮する必要がない。 ・超低駆動電圧-1.2V RDS (ON) =0.7Ω (TYP) @ID=-100mA,VGS=-4.5V RDS (ON) =1.2Ω (TYP) @ID=-50mA,VGS=-2.5V RDS (ON) =5.0Ω (TYP) @ID=-1mA,VGS=-1.2V ・スイッチング速度が速い。 ・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能。

■用途

高速スイッチング、アナログスイッチング等

  • シリーズ

    MOS形電界効果トランジスタ 超低電圧駆動用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0043AM1

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MOS形電界効果トランジスタ 超低電圧駆動用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0043AM1 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) イサハヤパッケージ JEITAパッケージ 極性 P (mW) VDSS (V) VGSS (V) ID (A) 駆動電圧 (V) Ron (Ω) Ciss (pF) Coss (pF) ton (ns) toff (ns)
MOS形電界効果トランジスタ 超低電圧駆動用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0043AM1-品番-INJ0043AM1

INJ0043AM1

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スーパーミニタイプ

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

イサハヤ電子株式会社は、1973年に設立された、半導体デバイスおよび電子機器メーカーです。 1991年には、関連会社(株)アイ・ディー・シーと合併し、2002年以降は海外へ販売拠点を持つなど、事業を拡大しています。 小...

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  • 本社所在地: 長崎県
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