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MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0003AXシリーズ-INJ0003AC1
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0003AXシリーズ-イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0003AXシリーズ
イサハヤ電子株式会社

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この製品について

INJ0003AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低電圧用途に最適です。

■特長

・入力インピーダンスが高いため駆動電流を考慮する必要がない。 ・駆動電圧 -2.5V ・RDS (ON) が低い。RDS (ON) =2Ω (TYP) @ID=-100mA,VGS=-4.0V ・スイッチング速度が速い。 ・超小形外形のため、セットの小型化、高密度 実装が可能。

■用途

高速スイッチング、アナログスイッチング等

  • シリーズ

    MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0003AXシリーズ

企業レビュー 5.0

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2024年12月13日にレビュー済み

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MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0003AXシリーズ 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) イサハヤパッケージ JEITAパッケージ 極性 P (mW) VDSS (V) VGSS (V) ID (A) 駆動電圧 (V) Ron (Ω) Ciss (pF) Coss (pF) ton (ns) toff (ns)
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0003AXシリーズ-品番-INJ0003AC1

INJ0003AC1

要見積もり

ミニタイプ

SC-59

Pch

200

-20

±8

-0.2

-2.5

2

37

12

16

110

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MOSFET をフィルターから探すことができます

電圧 V

-50 - 0 0 - 10 10 - 50 50 - 200 200 - 500 500 - 700 700 - 1,300

電流 A

-35 - -1 -1 - 1 1 - 10 10 - 20 20 - 60 60 - 110 110 - 160

オン抵抗 mΩ

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 5,000 5,000 - 10,000 10,000 - 25,000

タイプ

Nチャネル Pチャネル

Ciss pF

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 7,000

ID 最大値 A

-50 - 0 0 - 10 10 - 100 100 - 150

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この商品の取り扱い会社情報

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会社概要

イサハヤ電子株式会社は、1973年に設立された、半導体デバイスおよび電子機器メーカーです。 1991年には、関連会社(株)アイ・ディー・シーと合併し、2002年以降は海外へ販売拠点を持つなど、事業を拡大しています。 小...

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  • 本社所在地: 長崎県
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