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光ファイバーひずみゲージ FOS-N-FOS-N
光ファイバーひずみゲージ FOS-N-株式会社レーザー計測

光ファイバーひずみゲージ FOS-N
株式会社レーザー計測



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この製品について

■概要

光ファイバーひずみセンサーは、小型で高精度、高温域ひずみ計測、さらに、EMI/RFIの影響を受けず、腐食性の強い環境での計測など、まさに、これからのひずみ計測を背負っていく最新技術を駆使したセンサーです。 光ファイバーひずみセンサーは、従来のセンサーでは対応が困難であった環境でも、ひずみの測定が可能になりました。熱による影響は、従来の電気的ひずみゲージよりも遥かに優れています。さらに明確に言うと、広い温度範囲において、残留ひずみを通常わずか0.5μ_/℃以下に制御します。 計測原理は、ファブリペロー干渉 (FPI) の概念に基づいてデザインされています。基本的にFPIは、相対する2枚のミラーで構成されており、ミラーを分離している空間はキャビティー長と呼ばれています。FPI内で反射した光は、キャビティー長に応じて波長変調されます。つまり、ゲージに伝わったひずみは、様々なキャビティー長に変化し、それをひずみとしてコンディショナーで検出するということになります。 また、入射側ファイバーが、ひずみを感知するファイバーから機械的に切り離されているということは重要なポイントです。このデザインによって、接着剤の使用や操作のために生じる入射側ファイバーの影響に対しても、ひずみを測定するキャビティー長は影響されないという訳です。これは、複合材に固定する場合などに非常に有効です。 さらに、静的、動的な計測、チャンネル数によって、各種コンディショナーを取り揃えております。すべての光ファイバーセンサー (温度、変位、圧力、ひずみ、荷重) は、併用が可能で、全てのコンディショナーに対応することができるという利便性を備えています。これにより、当社は、先端技術を駆使した信頼性ある光ファイバーを基に広範囲な計測プランを提供します。

■特長

・EEMI/RFI/雷の影響を受けない ・防爆 ・静的、動的応答 ・分解能はフルスケールの0.01% ・長距離送信 ・ファイバーの曲げによる障害なし

■応用例

・新素材の研究、開発 ・土木産業 (橋梁、ダムなど) ・トンネル構造 ・原子力発電プラント ・建設業 (ビルなど) ・腐食性の強い環境での計測 ・EMI/RFIの高い環境 ・熱ひずみ、CTE (熱膨張係数) 及び熱変形の測定

  • シリーズ

    光ファイバーひずみゲージ FOS-N

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光ファイバーひずみゲージ FOS-N 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 計測レンジ 分解能 精度 横軸の感度 応答時間 動作温度範囲 EMI/RFI ケーブル長 寸法 光ファイバーケーブル ゲージ素材
光ファイバーひずみゲージ FOS-N-品番-FOS-N

FOS-N

要見積もり

±1,000με、±2,500με、±5,000με、0~2,500με、0~5,000με、-2,500~0με、-5,000~0με

フルスケールの0.01%

レンジに依存する

フルスケールの0.1%以下

コンディショナーに依存する

-40~250℃ (接着剤に依存する)

影響なし

2m

直径230μm

3.0mm O.D.ポリウレタン・ジャケット・ケブラー (-40~85℃) 、1mm O.D.ブレードファイバーガラスケーブル (-40~250℃)

ガラス

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