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電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーDPDTスイッチGaAs MMIC NJG1814MD7
日清紡マイクロデバイス株式会社

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この製品について

■概要

NJG1812ME4は、LTE/UMTS/CDMA/GSM等の通信用途に最適なハイパワーDPDT スイッチです。特にアンテナ切替用途に適しています。本製品は切替電圧1.8Vに対応し、低挿入損失、低歪み、高線形特性を3GHzまでカバーすることを特長とします。 本製品は内蔵ESD 保護素子により高ESD 耐圧を有します。本製品はDC カットキャパシタが不要です。EQFN12-E4 パッケージを採用し、小型・薄型化を実現します｡

  • シリーズ

    電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーDPDTスイッチGaAs MMIC NJG1814MD7

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2025年2月20日にレビュー済み

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電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーDPDTスイッチGaAs MMIC NJG1814MD7 品番1件

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商品画像 品番 価格 (税抜) P-0.1dB (dBm) パワーレベル 挿入損失 周波数範囲 (GHz) 外形サイズ (mm) 低切替電圧 (V) 動作電圧 (V) 動作温度範囲 (℃) ジャンクション温度 (℃) パッケージ 備考 機能

NJG1812ME4

要見積もり

Typ. 36

High Power

0.25dB typ. @f=900MHz, PIN=+35dBm、0.35dB typ. @f=1,900Hz, PIN=+33dBm 等

0.2 to 3

Typ. 2.0x2.0x0.397

VCTL (H) =1.35 to 5.0

VDD=2.7 typ.

-40 to 105

150

EQFN12-E4

2nd harmonics=-89dBm typ. @ f=786.5MHz, PIN=+23dBm、3rd harmonics=-89dBm typ. @ f=710MHz, PIN=+23dBm

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会社概要

2022年1月より日清紡グループの新日本無線とリコー電子デバイスが統合し、新たに日清紡マイクロデバイス株式会社として始動しました。両社の強みを統合し“Connect Everything”技術を磨き、超スマート社会実現へ...

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