■XCSW社XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

サファイア基板上にGaN (窒化ガリウム) を成膜したウェハを提供いたします。 導電タイプやGaN膜を膜厚を指定することもできます。

型番
4インチサファイア基板GaN 導電型N

シリーズ
XCSW製化合物・半導体結晶サファイア基板窒化ガリウム

取扱企業
株式会社トゥーリーズ

カテゴリ

電源

GaNパワーデバイス

化学物質

ガリウム

化学物質

窒化ガリウム

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XCSW製化合物・半導体結晶サファイア基板窒化ガリウム 4インチサファイア基板GaN 導電型Nの性能表

商品画像	価格 (税抜)	サイズ	面方位	ドーパント	GaN膜層厚さ(um)	比抵抗	転位密度	表面仕上げ
	要見積もり	φ100mm	C軸 (0001) ±1°	アンドープ	4	<0.05Ω.cm	<1x10⁸cm⁻²	片面 or 両面エピレディ研磨

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90 - 100 100 - 240 240 - 270

出力電圧 V

3 - 5 5 - 20 20 - 30

最大出力 W

10 - 50 50 - 70 70 - 110

出力電流 A

1 - 3 3 - 5 5 - 10

MTBF 時間

0 - 50,000 50,000 - 100,000 100,000 - 300,000

動作温度 ℃

-30 - 0 0 - 20 20 - 30 30 - 40

外観寸法 mm

0 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 80 80 - 110

ポート数

1 2 4

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会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

本社所在地: 神奈川県

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4インチサファイア基板GaN 導電型N | XCSW製 化合物・半導体結晶サファイア基板窒化ガリウム 株式会社トゥーリーズ

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