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XCSW製 化合物・半導体結晶サファイア基板窒化ガリウム-株式会社トゥーリーズ

2インチサファイア基板GaN 導電型半絶縁体 | XCSW製 化合物・半導体結晶サファイア基板窒化ガリウム
株式会社トゥーリーズ

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表面仕上げ

片面 or 両面エピレディ研磨

この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。 サファイア基板上にGaN (窒化ガリウム) を成膜したウェハを提供いたします。 導電タイプやGaN膜を膜厚を指定することもできます。

  • 型番

    2インチサファイア基板GaN 導電型半絶縁体

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2024年12月5日にレビュー済み

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XCSW製 化合物・半導体結晶サファイア基板窒化ガリウム 2インチサファイア基板GaN 導電型半絶縁体の性能表

商品画像 価格 (税抜) サイズ 面方位 ドーパント GaN膜層厚さ(um) 比抵抗 転位密度 表面仕上げ
XCSW製 化合物・半導体結晶サファイア基板窒化ガリウム-品番-2インチサファイア基板GaN 導電型半絶縁体 要見積もり φ50mm C軸 (0001) ±1° Fe 30,90 <1x106Ω.cm <1x10⁸cm⁻² 片面 or 両面エピレディ研磨

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入力電圧 VAC

90 - 100 100 - 240 240 - 270

出力電圧 V

3 - 5 5 - 20 20 - 30

最大出力 W

10 - 50 50 - 70 70 - 110

出力電流 A

1 - 3 3 - 5 5 - 10

MTBF 時間

0 - 50,000 50,000 - 100,000 100,000 - 300,000

動作温度 ℃

-30 - 0 0 - 20 20 - 30 30 - 40

外観寸法 mm

0 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 80 80 - 110

ポート数

1 2 4

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会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県

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