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XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-株式会社トゥーリーズ

チップ加工GaN基板 | XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板
株式会社トゥーリーズ

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5.0

サイズ

厚さ

面方位

転移密度

欠陥密度

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添加物 (ドープ)

Undoed,Ge, Si, Mg, Fe

導電型 (タイプ)

N (Undoped,Si,Ge) P (Mg) 半絶 (Fe) ※タイプはドープ種類で決まります

プライマリーフラット

(1-100) ±0.5°※主面C軸時

プライマリー長

16mm

セカンダリーフラット

(11-20) ±3°

セカンダリー長

8±1mm

抵抗値

Nタイプ：<0.5ohm.cm 半絶縁体：>10^⁶ohm.cm

TTV

≦15um

BOW

≦20um

研磨

エピレディ研磨,Ra<0.2nm 裏面fine ground又はRough grinded

有効範囲

≧90%

この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。 気相成長法 (HVPE) 技術によって成長させた欠陥密度の低いGaN基板を1枚からご提供いたします。 電離放射線に対して他のIII族窒化物と同様に感度が低いGaNを、衛星用の太陽電池アレイや通信、気象、監視衛星用の高出力、高周波デバイスなどの宇宙用途に適した材料となっています。 ※価格はサイズなど仕様及び数量に大きく依存します。

  • 型番

    チップ加工GaN基板

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評判がとても良い

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2024年12月5日にレビュー

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XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板 チップ加工GaN基板の性能表

商品画像 価格 (税抜) サイズ 厚さ 面方位 抵抗値 転移密度 欠陥密度 TTV BOW 研磨 有効範囲
XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-品番-チップ加工GaN基板 要見積もり 5x5.5mm
10x10.5mm
14x15mm 		230±20um
280±20um 		C軸 (0001) ±0.5° Nタイプ：<0.5ohm.cm
半絶縁体：>10^⁶ohm.cm 		<5x10⁶cm² 0 ≦15um ≦20um エピレディ研磨,Ra<0.2nm
裏面fine ground又はRough grinded 		≧90%

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入力電圧 VAC

90 - 100 100 - 240 240 - 270

出力電圧 V

3 - 5 5 - 20 20 - 30

最大出力 W

10 - 50 50 - 70 70 - 110

出力電流 A

1 - 3 3 - 5 5 - 10

MTBF 時間

0 - 50,000 50,000 - 100,000 100,000 - 300,000

動作温度 ℃

-30 - 0 0 - 20 20 - 30 30 - 40

外観寸法 mm

0 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 80 80 - 110

ポート数

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会社概要

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