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面方位
欠陥密度
添加物 (ドープ)
Undoed,Ge, Si, Mg, Fe
導電型 (タイプ)
N (Undoped,Si,Ge) P (Mg) 半絶 (Fe) ※タイプはドープ種類で決まります
プライマリーフラット
(1-100) ±0.5°※主面C軸時
プライマリー長
16mm
セカンダリーフラット
(11-20) ±3°
セカンダリー長
8±1mm
抵抗値
Nタイプ:<0.5ohm.cm 半絶縁体:>10^⁶ohm.cm
TTV
≦15um
BOW
≦20um
研磨
エピレディ研磨,Ra<0.2nm 裏面fine ground又はRough grinded
有効範囲
≧90%
型番
チップ加工GaN基板取扱企業
株式会社トゥーリーズカテゴリ
Metoree経由で見積もり
2024年12月5日にレビュー済み
顧客対応への満足度
今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。
初回対応までの時間への満足度
1.49時間
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電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
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商品画像 | 価格 (税抜) | サイズ | 厚さ | 面方位 | 抵抗値 | 転移密度 | 欠陥密度 | TTV | BOW | 研磨 | 有効範囲 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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要見積もり |
5x5.5mm 10x10.5mm 14x15mm |
230±20um 280±20um |
C軸 (0001) ±0.5° |
Nタイプ:<0.5ohm.cm 半絶縁体:>10^⁶ohm.cm |
<5x10⁶cm² | 0 | ≦15um | ≦20um |
エピレディ研磨,Ra<0.2nm 裏面fine ground又はRough grinded |
≧90% |