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XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-株式会社トゥーリーズ

株式会社トゥーリーズの対応状況

返答率

100.0%

返答時間

0.8時間

返信のとても早い企業

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添加物 (ドープ)

Undoed,Ge, Si, Mg, Fe

導電型 (タイプ)

N (Undoped,Si,Ge) P (Mg) 半絶 (Fe) ※タイプはドープ種類で決まります

プライマリーフラット

(1-100) ±0.5°※主面C軸時

プライマリー長

16mm

セカンダリーフラット

(11-20) ±3°

セカンダリー長

8±1mm

抵抗値

Nタイプ:<0.5ohm.cm 半絶縁体:>10^⁶ohm.cm

TTV

≦15um

BOW

≦20um

研磨

エピレディ研磨,Ra<0.2nm 裏面fine ground又はRough grinded

有効範囲

≧90%

この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。 気相成長法 (HVPE) 技術によって成長させた欠陥密度の低いGaN基板を1枚からご提供いたします。 電離放射線に対して他のIII族窒化物と同様に感度が低いGaNを、衛星用の太陽電池アレイや通信、気象、監視衛星用の高出力、高周波デバイスなどの宇宙用途に適した材料となっています。 ※価格はサイズなど仕様及び数量に大きく依存します。

  • 型番

    チップ加工GaN基板

企業レビュー 5.0

Metoree経由で見積もり

2024年12月5日にレビュー済み

顧客対応への満足度

今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。

初回対応までの時間への満足度

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XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板 チップ加工GaN基板の性能表

商品画像 価格 (税抜) サイズ 厚さ 面方位 抵抗値 転移密度 欠陥密度 TTV BOW 研磨 有効範囲
XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-品番-チップ加工GaN基板 要見積もり 5x5.5mm
10x10.5mm
14x15mm
230±20um
280±20um
C軸 (0001) ±0.5° Nタイプ:<0.5ohm.cm
半絶縁体:>10^⁶ohm.cm
<5x10⁶cm² 0 ≦15um ≦20um エピレディ研磨,Ra<0.2nm
裏面fine ground又はRough grinded
≧90%

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この商品の取り扱い会社情報

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0.8時間


企業レビュー

5.0

会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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