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サイリスタ KC5FB60HV-新電元工業株式会社

全型番で同じ値の指標

せん頭オフ電圧 VDRM (V)

600

平均オン電流 IT (AV) (A)

5

サージオン電流 ITSM (A)

90

接合部温度 Tj (℃)

-40 to 125

オン電圧 VT (max.) (V)

1.8

ゲートトリガ電圧 VGT (max.) (V)

0.8

ゲートトリガ電流 IGT (max.) (μA)

50

パッケージ (ハウスネーム)

FB

パッケージ (JEDECコード)

TO-252AA

保存温度 Tstg (℃)

-55 to 150

平均ゲート損失 PFG (AV) (W)

0.2

ピークゲート逆電圧 VRGM (V)

6

臨界オン電流上昇率 di/dt (A/μs)

50

せん頭逆電流 IRRM (max.) (μA)

10

この製品について

サイリスタは、ゲート端子にトリガー電流を流すことでアノード端子とカソード端子間を導通させることができる半導体です。当社の製品はプレーナ構造です。一般的なサイリスタの他に逆耐圧レス構造の突入電流防止回路向け製品をラインナップしています。

■特長

・小型SMD ・高耐圧 ・高感度品 ・高dv/dt耐量 ・端子Pb free

  • 型番

    KC5FB60HV

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サイリスタ KC5FB60HV KC5FB60HVの性能表

商品画像 価格 (税抜) せん頭オフ電圧 VDRM (V) 平均オン電流 IT (AV) (A) サージオン電流 ITSM (A) 接合部温度 Tj (℃) オン電圧 VT (max.) (V) ゲートトリガ電圧 VGT (max.) (V) ゲートトリガ電流 IGT (max.) (μA) パッケージ (ハウスネーム) パッケージ (JEDECコード) 保存温度 Tstg (℃) 平均ゲート損失 PFG (AV) (W) ピークゲート逆電圧 VRGM (V) 臨界オン電流上昇率 di/dt (A/μs) せん頭逆電流 IRRM (max.) (μA)
サイリスタ KC5FB60HV-品番-KC5FB60HV 要見積もり 600 5 90 -40 to 125 1.8 0.8 50 FB TO-252AA -55 to 150 0.2 6 50 10

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VRRM V

600 - 900 900 - 1,200 1,200 - 1,800 1,800 - 2,500 2,500 - 3,600

IT (AV) A

0 - 500 500 - 1,000 1,000 - 1,500 1,500 - 2,000 2,000 - 2,500 2,500 - 3,000 3,000 - 4,500

IF (AV) A

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 800 800 - 1,000 1,000 - 1,600

VDSM V

1,600 - 2,400 2,400 - 3,000

ITSM A

3,000 - 13,000 13,000 - 30,000 30,000 - 38,000 38,000 - 56,000

Tq μS

5 - 10 10 - 15 15 - 20 20 - 25 25 - 30 30 - 46

Io A

700 - 1,500 1,500 - 2,500 2,500 - 3,000 3,000 - 4,000

di/dt A/µs

150 - 200 200 - 750 750 - 800

dv/dt V/µs

200 - 1,000 1,000 - 1,100

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

新電元工業株式会社は、東京都千代田区に本社を置く、半導体、電装製品、電源の製造及び販売を主な事業内容とする企業である。 1949年、設立。 1958年、株式公開、東京証券取引所場外店頭銘柄として売買開始。 1961年、...

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  • 本社所在地: 東京都

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