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MOSFETドライバ 1nsのマッチング遅延をもつ100Vの高周波、N-MOSFEハーフブリッジ・ゲート・ドライバ MP18021-MPSジャパン合同会社

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返答率

100.0%

返答時間

15.6時間

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入力電圧 (最小) (V)

9

入力電圧 (最大) (V)

16

Peak Ipull-up (A)

1.5

Peak Ipull-down (A)

2.5

trise (ns)

12

tfall (ns)

9

Turn-On Delay (ns)

16

Turn-Off Delay (ns)

16

パッケージ (mm)

QFN-8 (3x3) , SOIC-8 EP

グレード

カタログ

この製品について

■概要

MP18021は、高周波で100Vのハーフブリッジ、NチャネルのパワーMOSFETドライバです。そのローサイドとハイサイドのドライバチャネルは独立して制御され、5ns未満の時間遅延でマッチングします。ハイサイドとローサイドの両方の電源の低電圧ロックアウトにより、電力供給が不十分な場合に出力が強制的にLowにされます。統合されたブートストラップ (BST) ダイオードにより、外付け部品の数が削減されます。

■機能と利点

・NチャネルのMOSFETハーフブリッジを駆動 ・100VのVBST電圧幅 ・オンチップのブートストラップダイオード ・代表的な16nsの伝播遅延時間 ・5ns未満のゲートドライブマッチング ・12VのVDDで、12ns / 9nsの立ち上がり / 立ち下がり時間をもつ1nFの負荷を駆動 ・TTL互換入力 ・150μA未満の静止電流 ・ハイサイドとローサイド両方のUVLO ・SOIC8 EPADパッケージ

■入手可能な製品番号

・MP18021HN-LF-P MP18021HN-LF-Z MP18021HN-LF MP18021HQ-LF-P MP18021HQ-LF-Z ・PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します

  • 型番

    MP18021

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MOSFETドライバ 1nsのマッチング遅延をもつ100Vの高周波、N-MOSFEハーフブリッジ・ゲート・ドライバ MP18021 MP18021の性能表

商品画像 価格 (税抜) 入力電圧 (最小) (V) 入力電圧 (最大) (V) Peak Ipull-up (A) Peak Ipull-down (A) trise (ns) tfall (ns) Turn-On Delay (ns) Turn-Off Delay (ns) パッケージ (mm) グレード
MOSFETドライバ 1nsのマッチング遅延をもつ100Vの高周波、N-MOSFEハーフブリッジ・ゲート・ドライバ MP18021-品番-MP18021 要見積もり 9 16 1.5 2.5 12 9 16 16 QFN-8 (3x3) , SOIC-8 EP カタログ

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使用用途

#MOSFET駆動 #モータ駆動 #自動車アプリケーション #IGBTモジュール駆動 #電力制御システム #インバータ #SiCMOSFET駆動 #パワーエレクトロニクス

ターゲットIGBTクラス V

600 - 1,000 1,000 - 1,500 1,500 - 2,000 2,000 - 3,300

出力ピーク電流 A

0 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 30 30 - 40

電源電圧 V

0 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 40 40 - 60

絶縁耐圧 Vrms

2,500 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 5,000 5,000 - 6,000

1回路あたりの出力電流 mA

80 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400

内蔵駆動回路数

1 - 2 2 - 3 3 - 4 4 - 5 5 - 7

短絡保護機能

あり なし

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この商品の取り扱い会社情報

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  • 本社所在地: 東京都

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