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MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0002AXシリーズ-イサハヤ電子株式会社

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イサハヤパッケージ

ミニタイプ

JEITAパッケージ

SC-59

極性

Pch

P (mW)

200

VDSS (V)

-30

VGSS (V)

±8

ID (A)

-0.2

駆動電圧 (V)

-2.5

Ron (Ω)

3

Ciss (pF)

35

Coss (pF)

7.3

ton (ns)

14

toff (ns)

100

この製品について

INJ0002AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低電圧用途に最適です。

■特長

・入カインピーダンスが高いため駆動電流を考慮する必要がない。 ・駆動電圧 -2.5V ・RDS (ON) が低い。RDS (ON) =3Ω (TYP) @ID =-100mA,VGS =-4.0V ・スイッチング速度が速い。 ・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能。

■用途

高速スイッチング、アナログスイッチング等

  • 型番

    INJ0002AC1

企業レビュー 5.0

Metoree経由で見積もり

2024年12月13日にレビュー済み

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早い対応、相談事の的確さ。

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MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0002AXシリーズ INJ0002AC1の性能表

商品画像 価格 (税抜) イサハヤパッケージ JEITAパッケージ 極性 P (mW) VDSS (V) VGSS (V) ID (A) 駆動電圧 (V) Ron (Ω) Ciss (pF) Coss (pF) ton (ns) toff (ns)
MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0002AXシリーズ-品番-INJ0002AC1 要見積もり ミニタイプ SC-59 Pch 200 -30 ±8 -0.2 -2.5 3 35 7.3 14 100

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電圧 V

-50 - 0 0 - 10 10 - 50 50 - 200 200 - 500 500 - 700 700 - 1,300

電流 A

-35 - -1 -1 - 1 1 - 10 10 - 20 20 - 60 60 - 110 110 - 160

オン抵抗 mΩ

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 5,000 5,000 - 10,000 10,000 - 25,000

Ciss pF

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 7,000

ID 最大値 A

-50 - 0 0 - 10 10 - 100 100 - 150

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この商品の取り扱い会社情報

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5.0

会社概要

イサハヤ電子株式会社は、1973年に設立された、半導体デバイスおよび電子機器メーカーです。 1991年には、関連会社(株)アイ・ディー・シーと合併し、2002年以降は海外へ販売拠点を持つなど、事業を拡大しています。 小...

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  • 本社所在地: 長崎県

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