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LED Silanna 遠紫外・深紫外LED FAR UVC LED 235nm-オーテックス株式会社

FAR UVC LED 235nm | LED Silanna 遠紫外・深紫外LED FAR UVC LED 235nm
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パッケージタイプ

FLAT LENS

放射出力

0.45mW @20mA

視野角

120°

標準電圧

5.8V

標準ワット数

0.12W

この製品について

■特許SPSL技術で優れた安定性と性能を実現したUV-C LED光源 (235nm, 255nm)

Silanna UVのUVC LEDは消毒、水質モニタリング、ガスセンシング、液体クロマトグラフィー、化学的および生物学的分析などのアプリケーションに適しています。従来のAlGaNベースの遠紫外LEDは高いAl含有量のため、キャリア注入が不十分で発光が少なく、駆動電圧が高いという問題があります。SilannaのUV-C LEDは、新しい特許技術のSPSL技術 (Short Period SuperLattice) で製造されていることにより発光のTE優位性が維持され、ドナーの活性化エネルギーが低下するため、従来のAlGaN技術で作られたLEDと比較してより効率的です。 さらに、GaNの厚みを利用し発光波長を容易に制御することができます。 特徴

■SPSL (Short Period Super Lattice) 短周期超格子技術とは

現在ほとんどのUVCLEDメーカーはAlGaNのドープ量により波長を調整するのに対し、SilannaUVは各層がオングストロームレベルの分子や原子のAlNバリア層とGaNウェル層を持った超格子構造体を、最大数百の積層して製造する技術を持っています。厚みを調整することにより、そのバンドギャップや導電率などの特性を校正層の厚みの調整するだけで調整できるため、従来のAlGaNよりもはるかに優れた特性と調整がとても簡単な新しいUV-C LED製造技術を持っています。

■競合を寄せ付けないSPSLデジタル合金技術

従来型のAlGaNは材料が分離しやすく、波長調整にはAl, Ga, Nの含有量の比率を調整する必要があり、制御が難しい場合があります。それに対してオングストロームレベルのSPSLデジタル製造技術は分離しにくく、波長を調整する為には成膜時間 (サイクル数) を調整するだけで簡単にできます。

■FAR UVでも高出力を維持できる量子井戸構造のUVLED

従来のAlGaN技術は、高Al含有量の影響でAlGaNにおける垂直 (TE) から横方向 (TM) への発光の遷移により、短波長での垂直光抽出が困難です。これらの伝統的な構造では、垂直方向に放出される光はごくわずかです。

  • 型番

    FAR UVC LED 235nm

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UVA UVB UVC 深紫外

発光素子構造

表面実装型 レンズ付き型

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